关于12A02CH-TL-E的参数,以下是一些详细的信息: 基本参数 晶体管类型:PNP双极结型晶体管(BJT) 频率:450 MHz 极性:PNP 耗散功率(Pd):700 mW 电气参数 击穿电压(集电极-发射极):12 V 集电极最大允许电流:1 A 直流电流增益(hFE) 最小值:300(在Ic=10mA, Vce=2V条件下) 最大值:700 集电极-发射极饱和...
型号: 12A02CH-TL-E 封装: SOT-23 批号: 21+ 数量: 15000 类别: 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 制造商: onsemi 晶体管类型: PNP 电流- 集电极 (Ic)(最大值): 1 A 电压- 集射极击穿(最大值): 12 V 不同Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 240mV @ 20mA,400mA 电流-...
12A02CH-TL-E ON Semiconductor (安森美) 双极性晶体管 NPN 晶体管,最大 1A,ON Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体...
12A02CH-TL-E由onsemi(安森美)设计生产,立创商城现货销售。12A02CH-TL-E价格参考￥2.1。onsemi(安森美) 12A02CH-TL-E参数名称:晶体管类型:PNP;集电极电流(Ic):1A;集射极击穿电压(Vceo):12V;耗散功率(Pd):700mW;直流电流增益(hFE):300@10mA,2V;特征频率(fT):450
12A02CH-TL-E 晶体管 (bjt) - 单立立分半导体产品 1A 12V 700mW PNP;跨 Pnp BIPO 1A 12V CPH3
制造商产品型号:12A02CH-TL-E 制造商:ON安森美半导体(ON Semiconductor,ONSEMI) 描述:TRANS PNP 12V 1A 3CPH 系列:晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 产品系列:- 零件状态:有源 晶体管类型:PNP 电流-集电极(Ic)(最大值):1A 电压-集射极击穿(最大值):12V 不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降(最大值):240...
制造商零件编号:12A02CH-TL-E 制造商:ON Semiconductor 描述:TRANS PNP 12V 1A CPH3 系列:- 晶体管类型:PNP 电流- 集电极 (Ic)(最大值):1A 电压- 集射极击穿(最大值):12V 不同Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):240mV @ 20mA,400mA 电流- 集电极截止(最大值):- 不同Ic、Vce 时的 DC 电流增...
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