东芝电子欧洲公司（Toshiba Electronics Europe）近日发布10款1200V SiC肖特基势垒二极管（SBD），进一步丰富了其碳化硅二极管产品线。这10款产品包括5款采用TO-247-2L封装和5款采用TO-247封装，旨在助力提升工业设备效率，如光伏（PV）逆变器、电动汽车（EV）充电站及开关电源等应用。据介绍，TRSxxx120Hx系列二极管采用...
东芝电子今日宣布，最新推出第3代碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）产品线中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V产品，为其面向太阳能逆变器、电动汽车充电站和开关电源等工业设备降低功耗。东芝现已开始提供该系列的十款新产品，其中包括采用TO-247-2L封装的五款产品和采用TO-247封装的五款产品。最新TRSxxx120Hxx系列...
纳芯微全新推出1200V系列SiC二极管产品，该系列产品专为光伏、储能、充电等工业场景而设计。其在单相或三相PFC、隔离或非隔离型DC-DC电路中均能展现出卓越的效率特性，完美满足中高压系统的需求。SiC二极管相较于传统硅基二极管具备明显优势1. 几乎零反向恢复电流如下图所示，SiC二极管的反向恢复电流几乎为零，明显优...
上海瞻芯电子科技股份有限公司(简称“瞻芯电子”),近期推出的4款1200V 60A SiC肖特基二极管(SBD)产品,是专为高效、大功率变换系统应用而设计的。其中,TO247-2封装器件产品IV2D12060T2Z以其卓越的性能,满足了车规级可靠性标准(AEC-Q101)。该产品最高工作结温可达175℃,能够承受10ms高达300A的浪涌电流冲击,确保了...
美国宾夕法尼亚MALVERN、中国上海 — 2024年6月28日— 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN 肖特基（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低，有助...
纳芯微全新推出1200V系列SiC二极管产品,该系列产品专为光伏、储能、充电等工业场景而设计。其在单相或三相PFC、隔离或非隔离型DC-DC电路中均能展现出卓越的效率特性,完美满足中高压系统的需求。 SiC二极管相较于传统硅基二极管具备明显优势 1.几乎零反向恢复电流 ...
本公司生产销售肖特基二极管 肖特基二极管,提供肖特基二极管专业参数,肖特基二极管价格,市场行情,优质商品批发,供应厂家等信息.肖特基二极管 肖特基二极管 品牌上海瞻芯|产地上海|价格3.00元|封装TO247-3|工作结温范围-55 to 175 °C|存储温度范围-55 to 175 °C|批号2023|
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作为深圳本土的半导体企业,森国科自成立以来就秉承着做合适的产品的理念,借鉴国外先进的技术结合我国应用市场对碳化硅器件产品多样化的需求,先后推出650V、1200V的SiC二极管产品,并与国际知名封装厂合作,目前已有TO-247、TO-220F、PDFN3*3、PDFN5*6等八种多不同的封装,有利于智能化市场上产品外观的小型化设计。
纳芯微NPD020N120A SiC二极管在额定电流下的正向导通电压实测典型值为1.39V,而单次浪涌电流的实测典型值可以达到220A,是正向额定电流的11倍,性能优于行业水平。 这意味着纳芯微的SiC二极管具有更低的正向导通电压,同时在面对瞬态高电流冲击时,具备更强的抗浪涌能力。这种性能优势使得纳芯微的SiC二极管在高功率应用...