10NM60N-VB TO-252封装大功率MOS管微碧半导体VBsemi场效应管芯片 10NM60N-VB 100000 VBsemi/微碧半导体 TO252 23+ ￥3.7200元1~499 PCS ￥3.3300元500~999 PCS ￥3.1100元1000~-- PCS 深圳市微碧半导体有限公司 4年 查看下载 立即订购 查看电话 QQ联系 老板...
10NM60N STP10NM60N 全新进口 TO-220 600V 10A MOS管 现货可直拍 深圳市英派尔半导体实业有限公司2年 月均发货速度:暂无记录 广东 汕头市潮南区 ¥3.50 STD10NM60N 丝印10NM60N TO-252-2 600V 10A N沟道MOS管 原装ST 深圳市购安芯科技有限公司1年 ...
STD10NM60ND STD10NM60 TO-252 ST/意法 场效应管(MOSFET) 原装正品 STD10NM60ND 15625 ST/意法 TO-252 2年内 ￥9.5000元10~99 个 ￥9.0000元100~299 个 ￥8.5000元300~-- 个 深圳市港禾科技有限公司 3年 -- 立即订购 查看电话 QQ联系 STD10NM60N 场效应管 ST/意法半导体 封装TO-263-7 ...
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10nm60n参数10nm60n参数 而"60n"则代表了晶体管的电流和电压特性。其中的"60"可能表示晶体管的最大电流承受能力,单位可能是毫安(mA)或安培(A),具体取决于具体的器件。而"n"可能代表了器件的电压特性,可能表示器件的工作电压范围或者其他相关的电性能指标。 需要注意的是,这些参数的具体含义可能会因制造商和具体的...
STP10NM60N ST Microelectronics (意法半导体) MOS管 STMICROELECTRONICS STP10NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 V查看详情 TO-220-3 22周 在产 2005年 ¥17.493 数据手册(11) 器件3D模型 规格参数 代替型号 (10)...
场效应MOS管STD10NM60N参数 PD最大耗散功率:70WID最大漏源电流:10AV(BR)DSS漏源击穿电压:25VRDS(ON)Ω内阻:0.55ΩVRDS(ON)ld通态电流:4AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA 立即咨询 STD10NM60N是一款高性能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子电路中。以下是...
VBsemi的10NM60N-VB是一款单N沟道MOSFET,采用TO251封装。它具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的栅极-源极电压(VGS),和3.5V的阈值电压(Vth)。这款MOSFET的导通电阻(RDS(ON))为500mΩ(在VGS=10V时),最大漏极电流(ID)为9A。它采用了SJ_Multi-EPI技术,适用于各种领域和模块。
- **开关电源**:在开关电源模块中,10NM60N-VB 的低导通电阻和高电流承载能力有助于提高电源的效率和可靠性。 2. **工业控制系统**: - **PLC(可编程逻辑控制器)**:10NM60N-VB 可用于 PLC 系统的电源管理模块,提供可靠的电流控制和开关功能,确保系统的稳定运行。
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