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型号：10N10 品牌：ASEMI 封装：TO-252 最大漏源电流：10A 漏源击穿电压：100V 批号：最新 RDS（ON）Max：130mΩ 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 封装尺寸：如图 特性：MOS管、N沟道MOS管 工作结温：-55℃~150℃ 不仅如此，10N10-ASEMI场效应MOS管还具备快速的开关速度。在数字电路频繁...
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