黄风义，东南大学信息科学与工程学院教授，博士生导师。曾任美国IBM高级半导体技术中心（纽约）主任工程师(Advisory Engineer)，参与国际领先的锗硅(BiCMOS)工艺和产品技术的研发。回国后主要从事射频集成电路的设计以及器件模型的研究，在CMOS无源器件射频模型参数提取领域的成果，以第一作者发表在国际集成电路领域最权威期刊...
1 爱斯泰克(上海)高频通讯技术有限公司 100% 黄风义 62.28万(美元) 2001-11-26 上海市浦东新区 开业 担任高管 1 序号 企业名称 职务 法定代表人 注册资本 成立时间 地区 状态 1 爱斯泰克(上海)高频通讯技术有限公司 法定代表人 股东 执行董事 黄风义 62.28万(美元) 2001-11-26 上海市浦东新区 开业 所有...
黄风义 职称:教授 办公室:四牌楼李文正楼北407室 学习经历: 1982年-1986年北京大学物理系,学士学位 1986年-1988年复旦大学物理系,半导体物理专业,硕士学位 1991年-1994年美国依利诺斯大学香槟分校(简称UIUC),获工程博士学位 工作经历: 1994年-1997年加州大学洛杉矶分校(UCLA),电子工程系,博士后 1997年-2001年任IBM...
黄风义的职业生涯始于1997年8月至2001年11月，他在美国IBM高级半导体技术中心担任高级工程师，专注于高频通信电子器件技术和产品的开发。作为首位且唯一的华人，他在IBM从第一代开始，参与了国际上最先进的锗硅工艺和三代产品开发，这些技术主要用于高频通信器件。在2000年至2001年间，他引领了针对超高速光...
黄风义博士在可塑性超薄半导体衬底技术领域展现出了卓越的贡献。作为这一领域的早期探索者，他进行了大量开创性的实验，他的研究成果被国际认可，并在享有盛誉的《物理评论通讯》杂志上发表，受到特别邀请在国际复合物半导体年会上进行了主题报告。他的学术成就显著，已经发表了近五十篇技术论文，其中约三十篇...
黄风义 184人看过 ScholarID:CN-BFHAB6OK 东南大学信息科学与工程学院 被引频次 13 成果数 12 H指数 2 G指数 3领域: 电子科学与技术 期刊 50% 会议 50% 专著 0% 其它 0% 总计 12篇 2012年成果数3 2013年被引量3 全部年份 全部类型 全部作者 按时间降序 A 76.5–92.6 GHz CMOS LNA Using Two-Por...
■黄风义(东南大学“长江学者”特聘教授) 从殷墟甲骨窖穴内发掘出土的刻有文字的龟甲 新华社 一百多年前,考古学家在河南安阳洹水之滨的小屯村发现了刻画在龟甲、兽骨上的文字,从字体推断其年代比当时已知的周朝文字更古老,人们称为甲骨文。这种文字在此前两千多年的史书里从来没有记载,中国古代文字的一部集大成著...
黄 huáng fēng yì 黄风义的合作伙伴有:姜楠、唐旭升、肖凤英等,他(她)在上海直连教育科技有限公司、南京展芯通讯科技有限公司、洛阳微泰微电子科技有限公司担任法人,他(她)在上海直连教育科技有限公司、南京展芯通讯科技有限公司、洛阳微泰微电子科技有限公司担任高管 ...
黄风义博士在半导体技术领域取得了显著成就，他的专利覆盖了先进的锗硅技术、铜连接技术和绝缘衬底技术（SOI）。他持有十多项美国专利，其中包括：1. "Silicon-germanium BiCMOS on SOI"，美国专利号6,288,427 2. "Silicon-germanium BICMOS on SOI"，美国专利号6,235,567 3. "Silicon-germanium ...
黄风义、王江舟。根据查询东南大学官网显示。1、黄风义，男，东南大学信息科学与工程学院教授，博士生导师。1964年12月21日出生于辽宁省大连市。2、王江舟，男，东南大学电路与系统学院教授，博士生导师。