然而,随着技术节点进入纳米级尺度,传统的平面金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)面临着严峻的技术挑战。短沟道效应和漏电流问题使得平面MOSFET难以满足深亚微米技术节点的需求。在此背景下,鳍式场效应晶体管(FinFET)应运而生,成为平面MOSFET的继任者,为摩尔定律的持续...
鳍式场效应晶体管(FinFET)工艺是旨在突破传统平面(2D)结构限制的3D工艺。由于结构看起来像鱼鳍,因此被称为“鳍(Fin)式”FET。晶体管中,当电压施加到栅极时,电流通过沟道从“源极”流向“漏极”。栅极与沟道之间的接触面积越宽,效率就越高。鳍式场效应晶体管(FinFET)工艺采用鳍状3D结构增加接触面积,...
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鳍式场效应晶体管(Fin Field Transistor,FinFET)是一种新型三维立体结构的CMOS晶体管。FinFET的雏形结构最早基于SOI MOSFET技术,由Hitachi公司的D.Hisamoto等人于1990年提出,并简称DELTA;后来Hitachi加入加州大学伯克利分校胡正明教授小组,该小组于1998年首先提出n沟道FinFET,1999年再提出p沟道FinFET。因为晶体管栅极的形状...
三维鳍式场效应管,简称FinFET,是一种先进的晶体管技术。其名称源于其独特的鳍状结构,这种结构使得晶体管的控制能力大大增强。FinFET的工作原理主要是通过在三维空间中形成导电沟道,从而提高了晶体管的性能和集成度。相比传统的平面晶体管,FinFET具有更低的漏电流和...
FinFET(鳍式场效应晶体管)从平面晶体管到FinFET的演变是一种先进的晶体管架构,旨在提高集成电路的性能和效率。它通过将传统的平面晶体管转换为三维结构来减少短沟道效应,从而允许更小、更快且功耗更低的晶体管。本文将从硅底材开始介绍FinFET制造工艺流程,直到鳍片(Fin)的制作完成。
•鳍式场效应晶体管(FinFET)是一种三维晶体管 •它采用纵向发掘结构,鳍状结构穿过晶体管的沟槽 •它比传统的平面MOSFET有更高的性能和更低的功耗 如何工作 •FinFET的工作原理是利用电场控制导电性 •鳍状结构可以在三个方向上控制电场 •鳍的宽度和高度可以调整晶体管的开/关状态 结语 •鳍式场效应...
鳍式场效应晶体管(FinFET)是一种创新的半导体器件设计,它通过三维结构突破了传统平面晶体管的性能限制。在FinFET中,“鳍”是关键组成部分,它指的是垂直站立在衬底上的薄片结构,其形状和布局经过精心设计以优化晶体管性能。 二、鳍的作用机制 1. 提高栅极控制力:在传统的平面晶体管中,随着...
鳍式场效应晶体管原理 鳍式场效应晶体管(FinFET)的原理如下: 结构基础。 FinFET的沟道由绝缘衬底上凸起的高而薄的鳍构成,源极和漏极分别在鳍的两端,栅极紧贴鳍的侧壁和顶部,形成三栅结构。这种鳍形结构增大了栅围绕沟道的面积,加强了对沟道的控制。 工作原理。 以N沟道场效应管为例。 开启状态:当栅极施加正...