1. 高度集成化:高性能集成电路能将大量的电子元件集成在极小的空间内,从而大大减小了电子设备的体积和重量。 2. 高效能:由于高性能集成电路中的元件被紧密地集成在一起,因此信号传输距离短,传输速度快,从而提高了整个电路的工作效能。 3. 低功耗:高性能集成电路采用了先进的低...
因此，电源管理电路需具备高效率、低功耗等性能。本项目主要研究高效AC-DC及低功耗低压差线性稳压器（LDO）中的相关技术问题。 通过结合传统整流器和LDO，设计了高度集成的AC-DC稳压器，减少了输出电容大小及数量，提高了转换效率。0.18-μm CMOS下的仿真结果表明13.56 MHz下转换效率可达80%。 详细分析了LDO的...
中科院半导体所高性能集成电路实验室从事高速电路研发。上世纪八十年代起，研究方向就集中在高速数模混合电路。八十年代初研发新型高速D/A转换器，八十年代中研发出10ns的12X12位高速数码乘法器，九十年代起将八十年代初研发的高速D/A转换器单片集成化，实现超高速工作，之后开展了系列的高速转换器及高速DDS芯片的研发。
国家高性能集成电路（上海）设计中心是国家科学技术部批准成立的设计中心。挂靠上海市科学技术委员会，是具有法人资格的非营利性事业单位。中心注册地点在上海浦东张江高科技园区，属于非营利性事业单位。国家高性能集成电路（上海）设计中心以开展自主知识产权的高性能集成电路设计技术研究，提供具有国际先进水平的高性能...
《高性能碳基瞬态电子器件和集成电路》是依托北京大学，由胡又凡担任负责人的面上项目。项目摘要 对按设定速度以确定方式消失的电子器件与系统的研究，即瞬态电子学。它在医疗监控、环境监测以及国防安全等领域都具有重大意义。当前研究仍主要集中在材料层面的探索，器件性能与传统半导体器件相比差距较大，无法满足真正应用...
《高性能，低功耗，高可靠三维集成电路设计》系统地介绍了三维集成电路设计所涉及的一些问题，包括物理设计自动化、结构、建模、探索、验证等，分成五部分，共20章。第一部分为三维集成电路设计方法及解决方案，主要讨论硅通孔布局、斯坦纳布线、缓冲器插入、时钟树、电源分配网络；第二部分为三维集成电路的电可靠性设计...
《高性能BiCMOS-NDR器件和BiCMOS数字集成电路设计研究》是依托杭州师范大学，由姚茂群担任项目负责人的面上项目。项目摘要 具有CMOS电路高集成度、低功耗的优点，又有双极型电路驱动能力强、速度快优点的BiCMOS电路在现代电路系统中得到越来越多的应用。本申请项目提出一种BiCMOS组合电路的一般结构及其设计方法，进而提出一...
硬件本身可比拟于ASIC(应用特定集成电路),这是一种为机器学习精细调优的电路。然而,与固定功能的ASIC不同,Groq利用了一个自定义编译器,可以适应并优化不同的模型。正是这种流线型架构和智能编译器的结合,使Groq与众不同。 关键的洞察是,许多AI芯片堆叠了组件,如GPU,这带来了额外的硬件和膨胀。Groq回归基本原理,...