東芝電子元件及儲存裝置株式會社(“東芝”)已開始量產工業設備用第三代碳化矽(SiC)1200V、漏極電流(DC)額定值400A的SiC MOSFET模組“MG400Q2YMS3”,並擴大了產品陣容。 圖片來源出處:東芝半導體https://toshiba.semicon-storage.com/tw/company/news/new-products-share/transistor/sic-power-devices-20240605-1d.h...
東芝電子元件及儲存裝置株式會社(“東芝”)推出了採用第三代碳化矽(SiC)MOSFET和SBD晶片的斬波器SiC MOSFET模組“MG800FXF1ZMS3[1]”和“MG800FZF1JMS3[2]”,額定電壓為3300 V和800 A工業設備,並擴大了其產品陣容。 圖片來源出處:東芝半導體https://toshiba.semicon-storage.com/tw/company/news/new-products-...