“SiC芯片可以高温工作,与之对应的连接材料和封装材料都需要相应的变更。三菱电机高压SiC模块支持175℃工作结温,其封装技术相对传统IGBT模块封装技术做了很大改进,本文带你详细了解内部的封装技术。 ” SiC芯片可以高温工作,与之对应的连接材料和封装材料都需要相应的变更。三菱电机高压SiC模块支持175℃工作结温,其封装技术...
2024年6月22日至23日,第十一届电工技术前沿问题学术论坛(FAFEE 2024)在重庆市举办,重庆大学潘建宇教授应邀就《基于SiC的新一代中高压大容量变频装备技术》发表报告,现将潘建宇教授的报告分享给各位读者,以期促进本领域的交流和技术进步。 专...
第一种：全域800V 全域800V，即整车的电机、电池、电控、空调、DC-DC等电气系统均支持800V。例如小鹏的G9，其搭载扶摇架构的车型就是标配全域800V高压SiC碳化硅平台。这种方案的优势在于电机电控迭代升级，能量转换效率高；但电驱的功率芯片需要用SiC功率器件全面替代IGBT晶体管，零部件成本高。第二种：局部800V...
在现代电力电子领域，随着技术的不断进步，对半导体器件的性能要求日益提高。其中，碳化硅（SiC）材料因其出色的物理和化学特性，逐渐成为新一代功率半导体器件的首选。萨科微（Slkor）SiC MOS管SL19N120A，正是这一技术趋势下的杰出代表。### 高压、低导通电阻：性能卓越的基础SL19N120A作为一款高压SiC MOS管，其额...
SiC 肖特基二极管 SiC 肖特基二极管同样是浙江高压 SiC 器件的重要组成部分。这类器件具有反向恢复时间短、正向压降低的特点，在高压整流电路中表现出色。嘉兴斯达半导体股份有限公司生产的高压 SiC 肖特基二极管，凭借其优异的性能，为电力传输、工业电源等领域提供了可靠的解决方案，有效降低了系统损耗，提高了功率密度。
SiC是一种在高压应用中具有显著优势的半导体材料。其薄漂移区域可以阻挡高电压,使得SiC在高压应用中具有显著的优势。然而,随着电压的升高,电阻会呈指数级增长,这会对SiC的应用带来挑战。因此,在高压应用中,需要特别关注电阻的问题。 二、高压SiC升压技术的发展和应用 随着SiC功率器件的发展,高压SiC升压技术也...
SiC模块采用碳化硅(SiC)材料作为核心组件,相比传统的硅材料,SiC具有更高的热稳定性、耐压能力和频率特性,因此SiC模块能够在高温、高压、高频和高功率等极端环境下运行。其主要特点包括: 1. 高温运行能力:SiC材料的熔点比硅材料高得多,...
当SiC扩大规模开始应用于太阳能逆变器、重型运输、储能和高速列车等高压应用时,挑战出现了——电阻呈指数级增长。阻挡3.3 kV所需的30µm漂移区域的比电阻(毫欧平方厘米)大约是650 V器件的42倍。这意味着要制造额定功率为80 mOhm的设备,(根据TechInsights的SiC电源平面图报告中分析的Microchip器件(MSC080SMA330) ...
条形图的黄色部分显示了 800 V SiC 相对于 800 V Si 解决方案的优势——尽管在这两种情况下都只应用了 10 kHz 的开关频率和 5 kV/µs 的电压压摆率。配备 SiC 半导体的逆变 可能会在更高的频率和转换率下运行(典型值:开关频率:10 ... 40 kHz,dv/dt:5 ... 50 kV/us)。左侧的第二个栏图 5...
0# 800V高压架构的多样化方案 全域800V方案：这种方案的特点是，整车的电机、电池、电控、空调以及DC-DC等电气系统均全面支持800V。以小鹏G9为例，其搭载的扶摇架构就提供了这样的全域800V高压SiC碳化硅平台。这种方案的优势在于，电机和电控的迭代升级能够带来更高的能量转换效率。然而，实现这一方案需要全面采用SiC...