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近年来,随着新能源汽车、风-光-储-氢等新能源发电以及智能电网等行业的高速发展,以 IGBT、SiC MOS 为代表的高压大功率半导体模块得到了广泛的应用。功率模块应用于大功率大电压环境中,输出功率高、发热量大,芯片散热不良,导致模块容易失效。据报道,约70%的 IGBT 模块失效归因于散热不良引起的键合线剥离或熔断。而...
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