其中，“硅、碳化硅器件及其他高压功率器件”分会围绕硅基功率器件与集成技术、碳化硅功率器件与集成技术、模组封装与应用技术等主题，来自产业链相关专家、高校科研院所及知名企业二十余位报告人共同深入探讨，追踪最新进展。浙江大学电气工程学院研究员王珩宇，复旦大学智能机器人与先进制造创新学院副教授刘盼，中国科学院上海微
此外，SiC的临界击穿场强更高，也就是说较薄的器件就能够满足额定电压的需求，从而能够大幅缩小器件尺寸。目前SiC MOSFET能够承受近10kV的超高电压阈值，而硅MOSFET能够承受的电压阈值仅为1.5kV。此外，SiC器件的开关损耗较低、工作频率较高，因此能够实现更优异的效率，尤其适合用于工作温度较高、热导率要求高的大电流...
中国科学院表示，碳化硅功率器件在航天电源系统中的应用将进一步推动航天电源系统的技术进步。此次验证的高压碳化硅功率器件为未来更大功率、更高效率的电源模块提供了坚实的技术基础。随着技术的不断发展，碳化硅器件预计将向千瓦级功率水平迈进，推动航天电源系统向更高功率、更小体积、更轻重量的方向演进。刘新宇教授强调...
中国青年报客户端讯（中青报·中青网记者 李瑞璇）记者从中国科学院微电子研究所了解到，由该所刘新宇和汤益丹团队和中国科学院空间应用工程与技术中心刘彦民团队等开展合作，共同研制出首款国产高压抗辐射碳化硅（SiC）功率器件及其电源系统，已成功通过太空第一阶段验证并实现其在电源系统中的在轨应用。合作团队共同开...
类型 高压功率放大器 产地 中国大陆 发货地 陕西西安 输出 双极性输出 压摆率 ≥345V/μs 电压 310Vp-p(±155Vp) 电流 1.41Ap 带宽(-3dB) DC~500kHz 数量 1000 批号 新批次 封装 箱子 试用价格 999 品牌 Aigtek 电话:029-88865020官网:www.aigtek.com 价格说明 价格:商品在爱采购的展示...
随着高压直流输电和电力机车等领域的不断发展,高压大功率IGBT器件作为其中重要的电力电子器件,其可靠性问题得到了国内外研究机构的广泛关注。为给高压大功率领域可靠性设计者以及终端用户提供更多高压大功率IGBT器件的可靠性信息,在汉斯出版报社《智能电网》期刊有论文中阐述了高压大功率IGBT器件可靠性的发展与研究现状。本...
高压功率器件的开关技术简单的包括硬开关技术和软开关技术: 如图所示,典型的硬开关过程中,电压和电流的变化虽然存在时间差,而且开关过程无法做到绝对的零延迟开关,此过程势必导致开关损耗。 所谓的软开关包括零电压开启(Zero voltage switching)即在器件处于关断状态时,通过额外的LC振荡电路支路,转移器件上的电压,以实现...
IT之家 1 月 22 日消息，功率器件是实现电能变换和控制的核心，被誉为电力电子系统的心脏，是最为基础、最为广泛应用的器件之一。中国科学院微电子研究所昨日宣布，该院刘新宇、汤益丹团队和中国科学院空间应用工程与技术中心刘彦民团队等开展合作，共同研制出首款国产高压抗辐射碳化硅 (SiC) 功率器件及其电源系统，...
特别是在电动汽车、可再生能源、高效能电力传输等领域SiC器件无疑是提高系统性能的关键。面对多种工作环境下的复杂物理现象如何全面且精确地表征与调控SiC器件的性能。依旧是行业面临的技术挑战。要深入理解SiC器件在高压大功率条件下地表现,必须从其材料特性、工作机制、以及在不同场景下地响应进行全面分析。SiC的宽...
高压功率器件的开关技术简单的包括硬开关技术和软开关技术: 如图所示,典型的硬开关过程中,电压和电流的变化虽然存在时间差,而且开关过程无法做到绝对的零延迟开关,此过程势必导致开关损耗。 所谓的软开关包括零电压开启(Zero voltage switching)即在器件处于关断状态时,通过额外的LC振荡电路支路,转移器件上的电压,以实现...