这可能会对电路的整体效率产生负面影响。 增加电路稳定性:在某些情况下,增大门极驱动电阻可以有助于增加电路的稳定性。例如,在高频电路中,过大的门极驱动电流可能会导致电路振荡或不稳定。通过增大门极驱动电阻,可以限制门极电流的大小,从而增加电路的稳定性。 影响电路响应:增大门极驱动电阻还可能会影响电路的响应速...
1 IGBT驱动门极电阻RG的变化对IGBT模块开通过程的影响 如图1、2、3所示,IGBT开通时,门极电阻增加将会带来以下影响: 开通延迟时间td 减小di/dt 减小dv/dt 增加了门极电压达到常规开通值的时间 减小了二极管反向恢复峰值电流Irr 开通损耗作为RG的函数对其的依赖性相对较高。可以从相关曲线图得到相同的结论。 Chart 5...
(1)额定电流大的器件门极驱动电阻较小,额定电流小的器件,门极驱动电阻比较大。 (2)驱动电阻的最优选值可以取IGBT手册标注的电阻值的两倍。由于手册标注的电阻往往是最小的电阻,所以可以考虑选取两倍的电阻作为参考电阻,这样可以保证IGBT发生特殊情况时可靠关断。 开通电阻RG(on)往往比关断电阻RG(off)小,一般开通电...
1、速度控制 在MOS管开启和关闭过程中,驱动电路内的信号电压需要通过门极电容来控制MOS管的开关速度,驱动电阻的大小则决定了MOS管的输出电压。当信号电压变化越快时,驱动电路中就需要更快的充电和放电速度,门极电容的大小就显得尤为重要。 2、功耗控制 驱动电路内的信号电压在经过门极电容后,需要通过驱动...
门极电阻可以影响IGBT的开关时间、开关损耗、反偏安全工作区(RBSOA)、短路安全工作区(SCSOA)、EMI、dv/dt、di/dt和续流二极管的反向恢复电流等。所以需要根据不同的应用条件谨慎地选择最优门极电阻,比如不同的IGBT芯片特性、二极管特性、开关频率、损耗要求、系统杂散电感、直流母线电压和驱动能力等,一个完整的IGBT门...
IGBT是通过门极电容的充放电来控制开通和关断,门极电容的充放电通过门极驱动电阻来控制,门极驱动电阻的大小影响lGBT的开关时间、开关损耗、反向偏压安全工作区、短路安全工作区等,还与电路的EMI、du/dt、di/dt等有着密切的关系,门极驱动电阻的选择是驱动电路设计的重要部分。附表是驱动电阻的变化与驱动电路参数的关...
门极电阻可以影响IGBT的开关时间、开关损耗、反偏安全工作区(RBSOA)、短路安全工作区(SCSOA)、EMI、dv/dt、di/dt和续流二极管的反向恢复电流等。所以需要根据不同的应用条件谨慎地选择最优门极电阻,比如不同的IGBT芯片特性、二极管特性、开关频率、损耗要求、系统杂散电感、直流母线电压和驱动能力等,一个完整的IGBT门...
IGBT门极峰值电流一般通过公式△V/(gint+gext)计算的。一般驱动电路设计会对门极电阻进行分开设置，如设置开通门极电阻和关断门极电阻 如果要求IGBT门极充电电流峰值低于门极放电电流峰值一般是从IGBT的开关损耗考虑的；IGBT的关断的时候拖尾电流比较长，会引起比较大的关断损耗，增大IGBT的门极放电电流峰值...
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电压型驱动的高阻抗器件—MOSFET 我们知道,MOSFET门极或栅极是高阻抗器件,从前面器件结构已经看到,在栅极(G)和源极(S)之间是一层二氧化硅(SiO2),这个是绝缘体,因此G-S之间就是高阻抗(几十到几百兆不等),所以一旦驱动异常,其中一种情况是通过米勒电容的电流给G-S充电,小电流高阻抗可能对应着高电压,栅极电压被...