以下通过实测两款芯片SLM2184S和IR2184S的性能来说明驱动电流建立时间对驱动速度的影响。 表格1对比了SLM2184S和IR2184S的各项测试。虽然SLM2184S的峰值源电流[IO+]和峰值灌电流[IO-]比IR2184S的测试值偏小,但是SLM2184S的电流建立时间远比IR2184S的建立时间更短。 表格1:SLM2184S和IR2184S驱动电流和驱动时间...
从实际应用角度看，如果将芯片比作一个水泵，那么负载电流就好比是维持水泵自身运转所需的电力，而驱动电流则相当于水泵所能提供的水流量。显然，一个好的水泵应该在自身效率（即低负载电流）和提供足够水流量（即高驱动电流）之间达到平衡。值得注意的是，在某些特定场合下，负载电流和驱动电流可能存在一定的交集。比如...
Ig=[Vb-Vgs(th)]/Rg ; Ig:MOS栅极驱动电流;Vb:稳态栅极驱动电压; 曲线估算法:通过查看MOS管的datasheet中的TotalGateCharge曲线来估算。这种方法适用于需要精确控制开通和关断时间的情况。 MOS管驱动电流估算 开通电流 lon=Qg/Ton=Qg/Td(on)+tr,带入数据得lon=105nc/(140+500)ns=164mA 关断电流 loff=Qg...
mos管驱动电流一般为几十毫安到几百毫安不等。分段解析：1. MOS管的驱动电流是指控制MOS管导通或截止所需的电流。2. 驱动电流的大小与MOS管的型号、工作电压、负载电流等因素有关。3. 一般来说，MOS管的驱动电流在几十毫安到几百毫安之间，具体数值需要根据具体情况进行计算和选择。
负载电流与驱动电流的主要差异 来源:负载电流来源于电源,而驱动电流来源于驱动元件。 目的:负载电流用于维持负载的工作,驱动电流用于控制负载的动作。 大小:驱动电流通常需要大于负载电流,以克服驱动路径上的电压降和损耗。 控制:负载电流通常由电源管理电路控制,而驱动电流由驱动元件的开关状态控制。
IGBT驱动电路的设计包括上下桥绝缘水平的选择、驱动电压水平的确定、驱动芯片驱动功率的确定、短路保护电路等等。今天我们重点讨论一下驱动电流以及功率的确定,也就是说如何确定一个驱动芯片电流能力是不是可以驱动一个特定型号的IGBT,如果不能驱动该如何增强驱动输出能力。 01驱动芯片峰值电流的计算 在选择IGBT驱动芯片时...
假如驱动能力 I=10mA,负载电容C=10pF,那么根据以上公式可以得出,把电平由“0”驱动为“1(3.3V)”所需要的时间就是dt = C*dU/I = 10pF*3.3V/10mA = 3.3ns。 假如驱动能力是1A,驱动同样的负载由“0”翻转为“1”,所需要的时间dt = 10pF*3.3V/1A = 33ps。 因此,驱动能力(驱动电流)越大,给电容...
本文主要阐述了在驱动芯片中表征驱动能力的关键参数:驱动电流和驱动时间的关系,并通过实验解释了如何正确理解这些参数在实际应用中的表现。 概述 驱动芯片 功率器件如MOSFET、IGBT需要驱动电路的配合从而得以正常地工作。图1显示了一个驱动芯片驱动一个功率MOSFET的电路。当M1开通,M2关掉的时候,电源VCC通过M1和Rg给Cgs,...
1，驱动电流一般在2~20mA 2，对普通光耦来说，一般不提输入电阻。3，因为光耦的输入端实际上就是一个发光二极管，当给此二极管加上正向3V~24V的直流电压后（当然千万不能忘了串入一只合适的限流电阻），输出端的导通电阻就会从无穷大变到只有几十欧姆。可以这么说，输入端的驱动电流决定输出端的导通...
实际电路中直连未串电阻时可能RG=5Ω。驱动电流ID是更具驱动IC来确定，RG=5Ω情况下，ID=20A，Ton...