微細プロセスを活用し、1.2Vの低電圧駆動を実現します。加えて、VGSが低い領域におけるRON特性も低減することに成功しました。当社のMOSFETは、システム電源の低下トレンドに追従し、低消費電力化に貢献します。
1. 政府主導によるトライボロジー開発プロジェクトの最新動向:「低摩擦損失高効率駆動機器のための材料表面制御技術の開発プロジェクト」-【最終回】第3回 高面圧複合軸受システムに関する研究 [J] . 岩渕明 トライボロジー . 2006,第12期 机译:政府主导的摩擦学发展项目的最新趋势:“低摩擦...