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对于EE非饱和负载N沟MOS反相器，如果其电源满足 VGG>VDD+VTL 的条件，其中 VGG 为栅极电压， VDD 为漏极电压，VTL为门限电压，那么在输入为低电平时，由于 VGG>VDD+VTL，导致通道导通不彻底，漏极电流很小，因此电容充电的速度较慢，输出端电压也就上升得慢。而在输入为高电平时，由于 VGG>VDD+VT...
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