三极管饱和导通后的电压降通常很小,具体数值取决于三极管的型号和工作条件。一般来说,对于小功率硅三极管,饱和导通时的集电极-发射极电压(Vce)降可低至0.1-0.3伏左右。这一数值是基于标准工作条件和典型数据手册中的规格参数得出的。 一、三极管工作原理及饱和状态 三极管是一种重要的电子器件,广泛应用于各种电子电路中...
简单来说,二极管有两种状态:饱和状态和导通状态。 当二极管处于饱和状态时,它几乎不再能阻止电流通过,此时二极管的电压降非常小,称为饱和压降。当二极管处于导通状态时,电流可以顺利地通过,这时候二极管的电压降比较大,称为导通电压。 二、饱和压降和导通电压的区别 饱和压降和导通电压...
首先,三极管的类型(如NPN型或PNP型)和具体型号会影响其饱和状态下的电压压降。其次,工作电流的大小也会影响电压压降的值。一般来说,工作电流越大,电压压降也会相应增大。此外,外部电路的条件(如负载电阻的大小)也会对电压压降产生影响。在设计电路时,需要综合考虑这些因素以确保三极管在饱和状态下...
工作区域:饱和管压降描述的是晶体管在饱和区的电压特性,而导通电压描述的是器件从截止状态到导通状态的转变点。 晶体管类型:饱和管压降主要与晶体管(BJT或MOSFET)相关,而导通电压可以适用于更广泛的半导体器件,如二极管和晶体管。 电压特性:饱和管压降是晶体管在饱和状态下的电压,而导通电压是晶体管或二极管开始导电的...
IGBT的饱和压降是指GE之间施加一个大于阈值的正电压（例如15V），使管子导通，处于饱和状态，流过一定...
Uces和Uce的区别如下：指代不同：Uces：饱和状态。Uce：压降。原理不同：Uces：发射结和集电结都处于正偏，输出集电极电流决定于外电路参量。Uce：负载两端的电势差引起电压降。作用不同：Uces：用于减小集电极串联电阻，降低饱和压降。Uce：是电流流动的推动力，没有电压降也就不存在电流的流动。
因此,三极管导通电压的大小为0.7V。 三、饱和压降 饱和压降指从集电极到发射极的电压。当三极管处于饱和状态时,集电极与发射极之间的电压会达到一个稳定的最小值,称为VCE(sat)。饱和压降是指集电极到发射极之间的电压降,在一般情况下,它的值约为0.2V至0.3V。 四、导通电压和饱和压...
具体来说,当FET饱和时,漏源电压(Vds)会降低至接近零。这是因为在高栅极电压的作用下,FET的沟道完全开启,形成了低电阻的电流通路。此时,漏极电流(Id)达到稳定值,而漏源电压则降至较低点。 需要注意的是,虽然FET饱和时漏源电压会降低,但栅源电压(Vgs)通常保持稳定。栅源电压是控制FET...
解析 不是,CE极电压在0.3或者0.3V以下时,三极管进入饱和区的工作状态,集电极电流不随着基集电流增加而增加了。。所以叫饱和电压。 结果一 题目 如图a,图b所示的两个电路中,三极管为硅管,两个LED灯参数均相同,下列说法正确的是( )A.M点约为0.7,N点约为0.7VB.M点约为0.7,N点约为4.6VC.M点约为0.7,N点...
双极型晶体三极管在饱和状态时不但发射结正向偏置，集电结也处于正向偏置。就你说的NPN（硅材料）三极管处于深度饱和工作状态而言，其反射结正向偏置电压Ube=0.6V，集电结正向偏置电压Ubc=0.4V，这时它的饱和压降Uces=Ucb-Ueb=-Ubc-(-Ube)=Ube-Ubc=0.6V-0.4V=0.2V。