半导体行业中的大规模集成电路均采用光刻技术进行加工,光刻的线宽极限和精度直接决定了集成电路的集成度,可靠性和成本.光刻技术是指利用光刻胶在紫外光或电子束下发生溶解性变化,将设计在掩膜版上的图形转移到曝光衬底上的微加工技术.随着半导体加工的光源不断进步,从g线,i线到KrF(248 nm)再到ArF(193 nm),与之...
极紫外光刻光刻胶金属氧化物纳米颗粒半导体行业中的大规模集成电路均采用光刻技术进行加工,光刻的线宽极限和精度直接决定了集成电路的集成度,可靠性和成本.光刻技术是指利用光刻胶在紫外光或电子束下发生溶解性变化,将设计在掩膜版上的图形转移到曝光衬底上的微加工技术.随着半导体加工的光源不断进步,从g线,i线到Kr...
面向极紫外:光刻胶的发展回顾与展望 摘要 半导体行业中的大规模集成电路均采用光刻技术进行加工,光刻的线宽极限和精度直接决定了集成电路的集成度、可靠性和成本.光刻技术是指利用光刻胶在紫外光或电子束下发生溶解性变化,将设计在掩膜版上的图形转移到曝光衬底上的微加工技术.随着半导体加工的光源不断...