雪崩击穿:是整个器件或结区发生的击穿现象,由于电场强度超过临界值引起。 齐纳击穿:发生在局部缺陷或高场区域,是局部击穿现象。 3.2 特性 雪崩击穿:高电压、低电流。可恢复,不会永久性破坏器件。 齐纳击穿:低电压、高电流。容易造成永久性损坏。 3.3 引发原因 雪崩击穿:主要由于高电场导致载流子的雪崩效应。 齐纳击穿:由于器件局部缺陷
热击穿和电击穿的本质区别在于产生击穿的机理不同。热击穿是通过介质内部分子的热运动来激发原子和离子而导致击穿,而电击穿则是由电场作用下引发的气体放电通道导致击穿。 2.雪崩击穿和齐纳击穿的区别 2.1 雪崩击穿 雪崩击穿是指PN结结构中载流子的雪崩效应导致的击穿。当PN结两端的电压达到一定值时,由于电子和空穴之间...
百度试题 结果1 题目APD光电二极管出现雪崩击穿是因为 A. 载流子在耗尽区的漂移时间过长 B. 将光信号转换为电信号的效率太低 C. 其所加的反向偏置电压过大 D. 其注入的非平衡载流子扩散过快 相关知识点: 试题来源: 解析 C 反馈 收藏
原理差异:雪崩击穿是基于载流子倍增效应,而齐纳击穿是由晶格缺陷和杂质引起的。 电流响应:雪崩击穿电流非常陡峭,而齐纳击穿具有相对较平稳的电流响应。 反应速度:雪崩击穿反应速度更快,齐纳击穿较为缓慢。 电压依赖性:齐纳击穿电压通常比较固定,而雪崩击穿的电压可能有较大波动。 应用领域:齐纳二极管(Zener diode)常用于...
与雪崩击穿不同,齐纳击穿效应是指当电场密度足够高时,电子被强电场加速,无法跟随原子固定核的运动而飞出器件表面、进入真空,此时电流骤增,形成“击穿”现象。一般认为,低电压下发生的齐纳击穿效应是可逆的,因为在高电场下造成的物理变化主要集中在材料表面几个分子层中,这些分子之间的相互作用可以通过仔细控制处理条件和...
1.雪崩击穿和齐纳击穿区别 首先,它们发生的位置不同。雪崩击穿主要发生在高电场强度下,而齐纳击穿则发生在低电场强度下。其次,它们产生的机理不同。雪崩击穿是电子与原子碰撞导致空穴和自由电子同时增加而产生设防的;齐纳击穿则是由于电子被电场加速达到碰撞离子的离子化能力而发生。
雪崩击穿是指在电力系统中,由于过高的电压和电流引起绝缘介质击穿而造成设备损坏或事故。 1.雪崩击穿是什么 雪崩击穿是一种极端的电气现象。当电势差过大,超过了介质的耐受范围时,介质就会发生击穿放电现象,如同雪崩一般扩散、蔓延,最终导致整个电路系统的瘫痪。