近年来,基于非晶氧化物半导体(AOS)的 TFT 由于制备温度低、迁移率高、均匀性好等优势受到了学术界和工业界的广泛关注。目前,在各类 AOS TFT 中,非晶的铟镓锌氧化物薄膜晶体管(a-IGZO TFT)的研究最为成熟,a-IGZO 是一种新型的 n 型半导体材料,由氧...
非晶氧化物半导体薄膜晶体管(a-IGZO TFT)的制备与测量是确保其高性能的关键步骤。首先,在制备过程中,需对基板进行高温清洗,确保表面洁净;随后,通过化学气相沉积或磁控溅射技术沉积氧化物薄膜,并精确控制a-IGZO的沉积量与均匀性。热处理步骤则用于提升薄膜的结晶质量和性能。接下来,沉积金属电极,并通过光刻与蚀刻工艺精...
近年来,随着显示技术的发展,非晶氧化物半导体薄膜晶体管(a-IGZO TFT)因其高性能和低成本,已经成为了新一代显示器技术的代表之一。本文将介绍a-IGZO TFT的制备和测量方法,以及其应用前景。 二、制备过程 1. 基板清洗:对用于制备a-IGZO TFT的基板进行高温清洗,...
《用于AMOLED 的非晶氧化物薄膜晶体管稳定性的研究》是依托上海大学，由张志林担任项目负责人的面上项目。中文摘要 AM-OLED是平板显示未来的主流,TFT基板是核心。氧化物TFT由于它低成本绿色等优势是即将取代现有的TFT背板技术。而其稳定性是目前阻碍其应用的关键。本项目以氧化物TFT的稳定性为重点。研究正负偏压不稳定...
非晶氧化物半导体材料(AOS)由于具有较高的载流子迁移率,对可见光的透过率高,大尺寸均匀性等优势,为超高清大屏显示,透明电路,柔性显示等新一代显示技术带来了发展契机,受到越来越多的关注.相应地,以AOS为有源层制备的薄膜晶体管(TFT)成为显示领域的研究热点.本文综述了AOS材料的研究进展,制备工艺以及AOS-TFT器件...
本文将详细介绍非晶氧化物半导体薄膜晶体管的制备步骤。 二、制备步骤 1. 物质选择 制备非晶氧化物半导体薄膜晶体管所需的材料包括非晶氧化物半导体、基底材料、图案化材料等。其中,非晶氧化物半导体的选用是关键,可采用如硅氧化物、锌锗氧化物等物质。 2. 薄膜沉积 将...
《NiO基p型非晶氧化物半导体材料及其薄膜晶体管的研究》是依托复旦大学，由张群担任项目负责人的面上项目。项目摘要 p型非晶氧化物半导体（AOS）材料成为OLED器件和基于氧化物半导体CMOS器件发展的瓶颈材料，p型氧化物半导体TFTs技术的缺乏严重限制了OLED器件和透明电子学的广泛和深入发展。开展p型NiO基AOS材料及其薄膜...
2. 准备沉积器和记录器:用来控制沉积条件和记录器是记录非晶氧化物半导体薄膜晶体管样品的光谱和电学性质。 3. 准备三极管的测试仪器:进行电学测试。 二、非晶氧化物半导体薄膜晶体管样品的制备 1. 在样品基片上沉积铝电极:按照电极面积密度(...
(54)发明名称一种非晶氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法(57)摘要本申请提供一种非晶氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法,包括衬底层、支撑层、栅电极层、栅绝缘层、IGZO有源层、刻蚀阻挡层、源区电极、漏区电极以及漏极场板;栅电极层在水平方向上与源区电极存在交叠区,与漏区电极之间存在非交叠区域,该非交叠...