半导体雪崩效应的产生与PN结中的击穿电压有关。击穿电压是指当反向电压超过一定阈值时,PN结中的电场强度达到足够大,使载流子获得足够的能量,从而产生雪崩效应。击穿电压与半导体材料的特性有关,例如掺杂浓度、材料的禁带宽度等。 3. 影响因素 半导体雪崩效应的产生受到多种因素的影响。 3.1 PN结的结构 PN结的结构参数对...
半导体功率MOSFET雪崩效应的详解; 在关断状态下,功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量电流流动。典型的阻断状态漏电流在几十皮安到几百纳安的数量级。 根据电路条件不同,在雪崩、MOSFET漏极或源极中,...
雪崩倍增效应，强电场下半导体中的载流子的大量倍增现象。解释 当半导体中的电场超过某一特定值时，某些载流子可从电场获得足够高的能量，通过相互碰撞，高能载流子将部分能量传递给价带中的电子，使之激发到导带，从而产生电子–空穴对，这种过程称为碰撞电离。所产生的电子和空穴又从电场获得能量，在其运动过程中不断...
2024年12月12日,武汉北极芯微电子有限公司(以下称“北极芯”)向国家知识产权局提交了一项名为“半导体器件及其形成方法”的专利申请。这项专利的公开号为CN119108448A,标志着北极芯在半导体器件领域的一次重要进展。根据公开的专利摘要,这项技术旨在通过光生载流子引发雪崩效应,从而显著提升半导体器件在电流传输过程中的...
在关断状态下,功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量电流流动。典型的阻断状态漏电流在几十皮安到几百纳安的数量级。 根据电路条件不同,在雪崩、MOSFET漏极或源极中,电流范围可从微安到数百安...
(1)雪崩击穿:半导体中,pn结反向电压增大时,势垒区中的电场很强,在势垒区内的电子和空穴由于受到强电场的漂移作用,具有很大的动能,它们与势垒区内的晶格原子发生碰撞时,能把价键上的电子和空穴碰撞出来,成为导电电子,同时产生一个空穴。新产生的载流子在电场作用下碰撞出其他价电子产生新的自由电子和空穴对。如此连锁...
雪崩倍增效应依赖于半导体材料内部的电荷载流子动力学，而链式反应则基于核反应中的中子动力学。前者是可控...
功率MOSFET的体二极管设计用于在关断状态下阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的雪崩击穿现象是指反向偏置体二极管两端的电场导致漏极和源极端子之间产生大量电流流动。典型阻断状态下的漏电流范围为几十皮安到几百纳安。根据电路条件，雪崩、MOSFET漏极或源极中的电流范围可以从微安到数百安。额定击穿...
其中，半导体器件包括：第一功能层以及分别位于所述第一功能层顶表面和底表面的第一吸收层和雪崩层；所述第一吸收层，用于吸收光子并产生光生载流子；所述第一功能层，用于将未被第一吸收层吸收的光子重新反射回第一吸收层，并将所述第一吸收层产生的光生载流子传输至所述雪崩层；所述雪崩层，用于使进入其中的所...