雪崩二极管（Avalanche Diode）是一种特殊类型的二极管，利用雪崩击穿效应来工作。它们在反向偏置下工作，当反向电压达到某一特定值时（击穿电压），二极管中的电流会突然大幅增加，这个过程称为雪崩击穿。雪崩二极管的主要特性和应用如下：特性：雪崩击穿电压：每个雪崩二极管都有一个特定的击穿电压，当反向电压超过这个值时...
1、雪崩二极管是什么? 雪崩二极管是一种利用半导体内部载流子碰撞电离和渡越时间效应产生负阻的微波器件,其核心特性在于:当PN结反向电压达到一定阈值时,载流子倍增效应急剧增强,如同雪崩般迅速增加电流,这一过程称为雪崩击穿,正是这一特性,使得雪崩二极管可在特定条件下实现...
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雪崩二极管以其独特的性质，能够在多种模式下产生振荡。其中，碰撞雪崩渡越时间（IMPATT）模式，简称崩越模式，是其中的一种重要模式。它利用半导体PN结中载流子的碰撞电离和渡越时间效应，在微波频率下产生负阻，从而引发振荡。另一种不容忽视的模式是俘获等离子体雪崩触发渡越时间（TRAPATT）模式，简称俘越模式。该...
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而在高反向偏压环境下，这一光电流会经历惊人的激增，呈现出所谓的“雪崩”现象。▲ 图1：雪崩二极管实物图 基本结构 PIN光电二极管与雪崩光电二极管在结构上具有一定的相似性。它们都包含两个重掺杂区和两个轻掺杂区，其中重掺杂区域分别标记为P+和N+，而轻掺杂区域则分别为I和P。▲ 图2：雪崩二极管基本结构在...
雪崩二极管(Avalanche Diode)和齐纳二极管(Zener Diode)是两种具有不同特性和应用领域的半导体器件。下面将分别介绍这两种二极管的基本定义、工作原理以及它们之间的主要差别。 一、雪崩二极管 1. 定义 雪崩二极管是一种利用半导体结构中载流子的碰撞电离和渡越时间两种物理效应而产生负阻的固体微波器件。它主要基于雪崩击穿...