发射极集电极击穿电压的关键因素是晶体管的器件的材料性质,若是硅型及硅/锗肖特基二极管,发射极-集电极击穿电压一般情况下大约是6V左右;而在金属氧化物半导体晶体管中,击穿电压一般在20V 左右,而大功率型MOSFET则有可能达到200V甚至更高;此外,单面门式晶体管也有着比较高的击穿电压,一般为60V左右。 通常而言,发射极...
发射极集电极击穿电压的最小阈值称为最小发射击穿电压,它表征晶体管的性能,并影响晶体管的其他特性和功能。发射极集电极击穿电压通常在6到10V之间,具体数值受工作环境和晶体晶体管型号的影响。 发射极集电极击穿电压一般大于供电电压,因为它涉及在晶体晶体管芯片内部施加电压以形成迁移极性层,而此时,供电电压仅作为晶体管...
发射极集(来自Collector和Emitter)击穿电压(Vce)是晶体管在正常运行条件下从开启到关闭的电压,也就是使其放电的最大电压值。它在过去也被称为电极击穿或击穿电压。 发射极集电极击穿电压(Vce)的大小与晶体管的输入电流(Ib)有关,因此在应用技术上它会在不同的情况下有所不同。如果输入电流(Ib)非常低,该晶体管...
实验测试NPN型三极管发射极到集电极的击穿电压特点#电子爱好者 #电工知识 #电子技术实验#反向击穿电压测试 - 电子技术实验于20231019发布在抖音,已经收获了13.7万个喜欢,来抖音,记录美好生活!
发射极集电极是一种电子管的构造形式,其中发射极即为发射电极,集电极即为集电电极。发射极集电极管是真空管(如三极管)常见的一种形式。击穿电压,顾名思义,是指极间(即发射极和集电极之间)电压达到一定数值时,会使得极间发生击穿现象,电流急剧增加,管子失去正常的放大功能,出现失效的情况。这个电压被称为击穿电压。
也就是说,不管外界加在极集电极上的电压有多大,它所能承受的最大电压就是发射极集电极击穿电压。 发射极集电极击穿电压是一个相当重要的参数,它能够表明极集电极的性能,并能够更好的评估极集电极的安全性。此外,它还可以用来衡量元器件由于温度、环境或者放电等原因所造成的,电路之间的电压过压或超标的情况,从而保护...
发射极是指电子管或晶体管中的阴极,它负责发射电子;而集电极则是负责收集发射极发射出的电子。在正常工作状态下,发射极和集电极之间应当保持一定的电压差,以确保电子能够被有效地传输。然而,如果电压超过了发射极集电极击穿电压,就会导致电子器件的故障和损坏。 发射极集电极击穿电压的大小与电子器件的结构和材料有关。
百度试题 题目晶体三极管的集电极—发射极击穿电压BVceo的值是指( ) A. 基极短路 B. 基极串入一个大电阻 C. 基极开路 D. 基极串入一个小电阻 相关知识点: 试题来源: 解析 C.基极开路 反馈 收藏
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百度试题 结果1 题目晶体三极管的集电极—发射极击穿电压BVceo的值是指基极开路时的集电极与发射极之间所能承受的( ) A. 最高反向电压 B. 最小反向电压 C. 最高正向电压 D. 最小正向电压 相关知识点: 试题来源: 解析 A