隧穿概率通常是指单位时间内穿越栅氧化层的电子数目。 栅氧化层中的隧穿机制在MOS器件的工作中起着重要的作用。通过控制栅氧化层的厚度和电场强度,可以调节隧穿效应的程度,从而影响器件的电流特性和性能。隧穿电流的大小和特性决定了MOS器件的可靠性和功耗等方面的表现。
在栅氧化层中,隧穿机制是一个关键的物理现象,它对于电子设备的性能和可靠性具有重要影响。 1. 隧穿现象的基本原理 在栅氧化层中,隧穿现象是指电子通过氧化层的能隙,从导体通过绝缘体的现象。隧穿电流的产生是由于氧化层的特殊性质和电子的量子力学效应。 栅氧化层是由氧化硅(SiO2)等绝缘材料构成的。在绝缘材料...
在众多模型中,目前最常用且被广泛接受的主要包括:热电子发射(Thermionic emission,TE)机制、隧穿机制(包括直接隧穿和Fowder-Nordheim(F-N)隧穿)和Frenkel-Poole(FP)陷阱辅助发射机制,关于这几种栅漏电机制的示意图在图1中给出。 图1 主要栅漏电机制示意图 1.热电子发射机制 热电子发射理论指的是当电子具有的能...
根据量子隧穿机制,隧穿衰减常数主要取决于隧穿势垒的大小,而隧穿势垒则与导电模块的最高占据分子轨道(HOMO)和最低未占据分子轨道(LUMO)之间的能隙大小密切相关。如果HOMO-LUMO能隙能够随导电模块尺寸的增大而迅速减小,则有可能构筑具有长...
为了得出关于隧穿机制的更可靠的结论,研究者对引线键合器件进行了测试,并在~77 K下再次测量,以降低热噪声。器件A的电导图和零偏置栅极迹线(π堆叠)分别如图5a和5c所示。它们显示出弱耦合分子器件的库仑阻塞行为特征。当分子能级位于电极电位之间的偏置窗口内时,存在高电导,其中允许分子的多体电荷状态之间的共振顺序隧...
在此反应通道中，N2Ar团簇失去两个电子后，N2分子的强N-N共价键断裂，质量为14的氮离子从团簇的分子中心通过量子隧穿机制转移到Ar原子中心，并形成新的N-Ar键。这种重离子转移反应机制是首次被发现。研究揭示了该通道反应的细节：首先团簇中的“N2”分子丢失两个电子生成母体团簇离子N22+Ar，而旁观中性Ar原子与N...
受到热载流子输运的限制,传统的场效应晶体管存在 60 mv /dec 的亚阈值摆幅(SS),严重限制了器件的功耗。值得注意的是,基于带间隧穿机制的隧穿场效应晶体管(TFET)是低功耗电子器件的潜在选择。例如,基于MoS2的 TFET 具有低至 31.1 mV/dec 的陡峭 SS 特性,展现了二维材料在 TFET 中的巨大潜力。然而,如何在...
基于这类人工神经突触搭建的人工神经网络系统,其监督学习识别率高达96.7%。同时无监督学习中表现出平衡的STDP行为及优良的抗干扰性:噪声水平50%时其识别率仍接近100%。这项研究设计调控铁电隧道结突触的阻变机制,改善其权重更新的线性和对称...
半导体中电子的输运（漂移、扩散、隧穿等）对电子与光电子器件具有重要影响。近年来，二维原子晶体因外场可调的物理性质，为突破电子与光电子器件的性能极限提供了机遇。然而，二维/三维异质结器件中电子的产生与复合、隧穿等动力学过程以及外场调控机制尚不清晰，多功能器件的研制有待进一步发展。针对上述问题，上海技物...