氧化铝陶瓷基片是市面上常见的一种,其导热系数通常在3-30W/(m·K)的范围内。而氮化硅陶瓷基片则表现出更高的导热性能,其导热系数可达150-200W/(m·K)。 二、影响陶瓷基片导热系数的因素 陶瓷基片的导热系数受多种因素影响。首先,材料本身的性质是决定导热系数的关键因素。不同材料的原子结构、晶格常...
氮化铝陶瓷基片,作为一种卓越的散热材料,其导热性能尤为突出,导热系数范围在120至200W/(m·K)之间。该材料由高纯度的氮化铝粉体添加少量助剂,经过高温烧结而成,结合铜箔等导电材料的化学镀铜和热压工艺,形成了完整的金属化层和焊盘结构。其导热系数不仅显著高于铝材和铜材,有效提升了芯片的散热效率,而且在高温环境下...
1.导热系数高:氮化铝陶瓷基片的导热系数为120~200W/(m·K),比铝材和铜材高出数倍,可以有效提高芯片的散热能力。 2.温度稳定:氮化铝陶瓷基片的导热系数在高温下不会发生明显的变化,因此可以适用于高温环境下的散热要求。 3.良好的机械性能:氮化铝陶瓷基片具有优异的机械稳定性和抗拉强度,可以...
其导热系数一般在20-40 W/(m·K)之间,比较高。陶瓷基片的导热系数主要与陶瓷基片材料的配比、成分、微观结构、加工工艺等因素有关。其中,陶瓷材料的配比和成分是影响导热系数最主要的因素。 二、影响氧化铝陶瓷基片导热性能的因素 1. 物理结构:陶瓷基片的物理结构直接关系到其导热能力。常见的...
AlN陶瓷作为一种新型电子器件封装材料,具有高导热率和强度、低热膨胀系数和介电损耗、耐高温和耐化学腐蚀、绝缘性好、无毒环保等优点。因此被国内外一致认为是最有发展前景的陶瓷材料之一。 氮化铝陶瓷基板作为高功率、高引线、大尺寸芯片封装的理想材料,其导热性能一直是业界关注的焦点。目前商用AlN衬底的导热系数与其理...