西安邮电大学电子工程学院 被引频次 231 成果数 59 H指数 9 G指数 14领域: 物理学 期刊 84.7% 会议 8.5% 专著 0% 其它 6.8% 总计 59篇 2007年成果数18 2010年被引量42 全部年份 全部类型 全部作者 按时间降序 An Accurate Analytical Surface Potential Model of Heterojunction Tunnel FET 2023 - Yunhe...
陈海峰,博士,副教授,1979.9生,于2008.3月获得西安电子科技大学微电子学与固体电子学专业博士学位。 曾在CareRay公司苏州研发中心工作,研发团队Leader,从事X射线CMOS图像传感器芯片方面研发和管理工作。之后进入美国应用材料(AMAT)公司全球太阳能电池研发中心工作两年,器件与工艺研发工程师,其间在AMAT德国太阳能电池全球研发中心...
研究简介 对于氧化镓日盲紫外光电探测器而言,极大的光暗电流比(PDCR)是令人着迷的指标,其可作为器件具备高探测性能的评估条件之一。PDCR由探测器的暗电流和光电流比值决定,目前大的PDCR都主要依赖于小的暗电流,因此控制器件获得极小暗电流是实现极大PDCR的一个有效途径。这激发出了一个有趣的问题:暗电流最小值是否...
日前,西安邮电大学新型半导体器件与材料重点实验室的陈海峰教授团队成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片,这一成果标志着我国在超宽禁带半导体研究上取得重要进展。 第四代半导体,也被称为宽禁带半导体(Wide Bandgap Semiconductor, WBG),其优势包括: 1. 更高的工作温度:第四代半导体具有更高的材料熔点和更...
赞 分享 科研之友微信新浪微博Facebook分享链接 陈海峰 西安邮电大学, 副教授 / 科研之友号:59664740 科研之友人员唯一编号 1 项目 15 成果 500 阅读 0 下载 0 被引 0 H-指数 主页 成果 相关人员 更多
3月14日,西安邮电大学宣布,该校陈海峰教授团队日前成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片。要知道,就在上个月的时候,中国电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶,已经达到了国际最高的水平。这才不到一个月,记录就被咱自己给破了。突破卡脖子技术,对投资有什么影响?#半导体# #诺安# °8英寸!第...
对于氧化镓日盲紫外光电探测器而言,极大的光暗电流比(PDCR)是令人着迷的指标,其可作为器件具备高探测性能的评估条件之一。PDCR由探测器的暗电流和光电流比值决定,目前大的PDCR都主要依赖于小的暗电流,因此控制器件获得极小暗电流是实现极大PDCR的一个有效途径。这激发出了一个有趣的问题:暗电流最小值是否有极限以及...
1、3月14日,西安邮电大学宣布,该校陈海峰教授团队日前成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓(GaO)外延片;此前在2月底,中国电子科技集团有限公司(中国电科)宣布,中国电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶,达到国际最高水平。 2、3月14日,中国西电与陕西电子信息集团签订战略合作协议,丁小林对陕西电子信息...
西安邮电大学电子工程学院新型半导体器件与材料重点实验室 陕西西安710121; 西安邮电大学电子工程学院新型半导体器件与材料重点实验室 陕西西安710121; 西安邮电大学电子工程学院新型半导体器件与材料重点实验室 陕西西安710121; 西安邮电大学电子工程学院新型半导体器件与材料重点实验室 陕西西安710121; ...
2017 - 陈海峰 - 《西安邮电大学学报》 - 被引量: 0 收藏相关文章 nMOSFET中界面陷阱产生电流的电容效应 2017 - 陈海峰,CHEN,Haifeng,... - 《西安邮电大学学报》 - 被引量: 0 收藏相关文章 Optical Characteristics of Antireflection of SiN Layer on the Si Substrate 2017 - Haifeng Chen,Duan Xie - ...