学历及工作简历: 1987.9—1991.7 武汉大学物理系本科 1991.9—1993.7 武汉大学物理系硕士研究生 1993.9—1996.7 复旦大学物理二系博士研究生(提前攻博) 1996.9—1998.7 武汉大学物理科学与技术学院博士后 1998.7—1999.5 武汉大学物理科学与技术学院 副教授 1999.5—1999.11 日本筑波大学物理工学系外国人研究员 2000.2—2002....
武汉大学物理科学与技术学院 被引频次 430 成果数 138 H指数 12 G指数 20领域: 物理学 期刊 55.8% 会议 21.7% 专著 0% 其它 22.5% 总计 138篇 2014年成果数7 2011年被引量76 全部年份 全部类型 全部作者 按时间降序 Defect Reconfiguration in Hole-Doped PbSe via Minute Te Doping for Significantly Enh...
近期，陈志权教授发表了一系列关于半导体材料研究的论文，涉及多个方面，包括缺陷研究、离子注入效应、晶粒生长、以及缺陷的产生与恢复等，这些研究对于半导体材料的性能优化和应用具有重要指导意义。以下是陈志权教授的部分代表性论文：[1]《ZnO材料中电子辐照诱导缺陷的研究》探讨了ZnO材料在电子辐照下的缺陷形成...
教育背景: 2002年毕业于大连工业大学艺术设计学院,2009年毕业于武汉大学,获工程硕士学位。 代表性论文 在CSSCI、CSCD等核心期刊发表论(作)30余篇(幅)。科研成果 近年来主持完成省级教研项目1项、省教育厅人文社科项目3项、横向科研项目6项。主要著作 出版专著1部。个人荣誉 多年来创作和学士研究成果多次获得...
1987.9—1991.7 武汉大学物理系本科1991.9—1993.7 武汉大学物理系硕士研究生（提前攻博）1993.9—1996.7 复旦大学物理二系博士研究生1996.9—1998.7 武汉大学物理科学与技术学院博士后
1998.7—1999.5 武汉大学物理科学与技术学院 副教授1999.5—1999.11 日本筑波大学物理工学系外国人研究员2000.2—2002.2 日本学术振兴会（JSPS）外国人特别研究员（ID: P99261）2002.6—2005.6 日本原子力研究所研究员（JAERI Research fellow）2005.12— 武汉大学物理科学与技术学院 教授 ...
1．用慢正电子技术研究半导体表面界面缺陷 湖北省自然科学基金 2.0万元 主持 顺利结题2．用正电子湮没研究重掺杂半导体载流子饱和的微观机制 武汉大学自强基金 3.0万元 主持 顺利结题3．宽禁带半导体ZnO电子辐照引入缺陷及其回复研究 湖北省杰出青年基金 10万元 主持 顺利结题4．半导体缺陷的正电子谱学...
「雷军班!Born to innovate」武汉大学 X 新华社 宣传片-学校 戴 戴展昊 等 12 位创作人 戴 戴展昊 等 12 位创作人 戴 戴展昊导演 程 程烨铭调色师 L LiaoJun航拍师 李 李希阳美术师 熊 熊琦监制 尹 尹作飞摄影指导/摄影师 H HICHENXUAN监制 小 小佳-制片人制片主任 千 千里视频监制 J JUN.特效师...
陈志权,毕业于武汉大学,博士、武汉大学物理科学与技术学院教授。 基本信息 中文名称 陈志权 国籍 中国 民族 汉族 职业 教授 性别 男 学历 博士 目录 1人物经历 2研究方向 3主要贡献 折叠编辑本段人物经历 折叠学习经历 1987.9-1991.7 武汉360百科大学物理系本科。