阻变存储器是利用薄膜材料在电激励条件下薄膜电阻在不同电阻状态(高阻态和低阻态)之间的互相转换来实现数据存储的,具有单元尺寸小、读写速度快、功耗低、制备工艺和器件结构简单等优点。理解高低组态相互转化的微观机制对于设计和优化阻变存储器是至关重要的。目前,对于导电桥类型的阻变存储器的阻态翻转机理,如导电丝...
近日,清华大学微纳电子系任天令教授团队在《美国化学学会·纳米》(ACS Nano)上发表了题为《面向神经计算应用基于机械剥离二维钙钛矿材料的极低工作电流阻变存储器》(“Extremely Low Operating Current Resistive Memory Based on Exfoliated 2D Perovskite Single Crystals for Neuromorphic Computing”)的研究论文,实现了阻变...
探讨了嵌入式RRAM在存储之外的其他领域的研究进展,包括其在现场可编程门阵列(FPGA)、微处理器(MCU)和存内计算(CIM)等领域的潜在应用,展示了其在嵌入式系统中的发展潜力,并分析了嵌入式RRAM面临的挑战和未来的发展前景; 图1嵌入式随机存储器的开发与应用。本文按照图中顺时针方向的顺序详细介绍嵌入式RRAM的基本特性...
中科院微电子所刘明院士团队基于RRAM阵列的原位乘加及低功耗特性,开发了RRAM 存内计算芯片,结合微流控芯片搭建了异质集成及时检测系统(POCT),完成终端系统的识别功能…… 阻变存储器(RRAM)因其高速、低功耗和可扩展性而被广泛用于实现边缘计算加速器。但由于RRAM存在保持特性退化的问题,导致基于RRAM芯片上的网络推理准...
阻变存储器(Resistive Random Access Memory,RRAM)是最具应用前景的下一代非易失性存储器之一,与传统浮栅闪存相比在器件结构,速度,可微缩性,三维集成潜力等方面都具有明显的优势,本文对RRAM技术进行了综述.首先简单介绍了阻变存储器的工作原理,技术优势,发展历程和面临的基础科学问题.然后深入总结了RRAM的材料体系,包括...
本文从二极管类型、器件组成和单元结构综述了1D1R型阻变存储器的研究进展。二极管可分为硅基二极管、氧化物二极管(p-n结型、肖特基型)和聚合物二极管。硅基二极管性能优异,但制备温度高,不利于集成;氧化物二极管易制备,且与CMOS工艺兼容,但正向电流密度不足;聚合物二极管虽然性能较差,但易于大面积制备,柔性好。单元...
存储器,,阻变存储器是利用薄膜材料在电激励条件下薄膜电阻在不同电阻状态(高阻态和低阻态)之间的互相转换来实现数据存储的,具有单元尺寸小、读写速度快、功耗低、制备工艺和器件结构简单等优点。理解高低组态相互转化的微观机制对于设计和优化阻变存储器是至关重要的。目
近日,中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术研究室(三室)刘明研究员的科研团队在阻变存储器(RRAM)微观机制研究中取得新进展。 RRAM具有结构简单、高速、良好的器件可微缩性、易于3D集成等优势,是下一代高密度非易失性存储器的有力竞争者之一。RRAM器件具有挥发性和非挥发性两种截然不同的转变模式,这两种转...
日前,中科院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术研究室(三室)在阻变存储器微观机制研究中取得系列进展。 阻变随机存储器(RRAM)具有结构简单、高速、低功耗、易于3D集成等优势,是下一代高密度非易失性存储器的有力竞争者之一。然而,阻变机制的不清晰阻碍了RRAM的快速发展。从最基本的微观层面探讨和研究RRAM的微观物理...
微电子所刘明院士团队近年来对阻变器件进行了深入研究,在阻变存储器性能优化、3D阻变存储器阵列及芯片集成、阻变存储器的嵌入式应用等方面取得一系列研究成果。近日,该团队率先对氧化铪基阻变存储器中细丝环境的动态演变行为进行了原子级分析,证明了非晶氧...