图A给出了阴极发光过程。光子频率等于能隙（EG）与普朗克常量（h）的比值，因此，如果带隙因为某种原因而发生变化，就会有光谱产生，或者光的颜色将随观察的样品区域的改变而发生变化，所以CL光谱可用于半导体和掺杂效应的研究。虽然CL的空间分辨率并没有X射线或二次电子那么高，但仍优于100nm。图A 阴极发光（CL）...
图A给出了阴极发光过程。光子频率等于能隙(EG)与普朗克常量(h)的比值,因此,如果带隙因为某种原因而发生变化,就会有光谱产生,或者光的颜色将随观察的样品区域的改变而发生变化,所以CL光谱可用于半导体和掺杂效应的研究。虽然CL的空间分辨率并没有X射线或二次电子那么高,但仍优于100nm。 图A 阴极发光(CL)的示意图...
阴极发光(CL)成像可以在这项工作中发挥强大的作用,它可用于在小长度尺度上成像光伏(PV)半导体材料的局部缺陷和能带结构,是用于研究块状、薄膜和微纳米结构光伏材料的非接触式纳米成像方法。 阴极发光对于研究第二代薄膜光伏材料(例如CdTe,CIGS,GaAs)以及新型第三代材料(例如钙钛矿,CZTS,III / V纳米线等)特别有用。
图A给出了阴极发光过程。光子频率等于能隙(EG)与普朗克常量(h)的比值,因此,如果带隙因为某种原因而发生变化,就会有光谱产生,或者光的颜色将随观察的样品区域的改变而发生变化,所以CL光谱可用于半导体和掺杂效应的研究。虽然CL的空间分辨率并没有X射线或二次电子那么高,但仍优于100nm。 图A 阴极发光(CL)的示意图...
图像滑块显示了硅二聚体的高光谱CL(右)和SEM(左)图。 CL图在粒子边缘更亮的事实是粒子间耦合和光学模式杂交的体现。图片由Jorik van de Groep博士(AMOLF,UvA)提供。 氮化硅光子晶体膜的衍射图 图片由Riccardo Sapienza教授提供(伦敦帝国理工学院ICFO)
通过利用CL成像,可以可靠地预测由于干蚀刻相关的损坏而导致单个像素或LED在EL下变得不活跃的Micro-LED短路缺陷。PL成像可以从可能阻碍进一步制造工艺步骤的蚀刻工艺中识别再沉积的InGaN。PL成像无法识别导致LED短路的蚀刻相关损伤。通过CL成像和亮度测量可以简单地识别额外的布线和接触缺陷。CL的这两种方法是快速和无损的...
所谓固体的发光现象,是固体在外来能量源的激发下发射光子的过程,而阴极发光(CL)指的是激发能量源为高能电子的情况。尽管您可能对阴极发光这一术语本身并不熟悉,但您在生活中肯定早已见过阴极发光现象。我们中的大多数人,都(曾)看到过使用阴极射线管(电子枪)来激发
Attolight CL是一种纳米分辨率光谱仪器,基于一种被称为定量阴极发光的突破性技术,它将光学显微镜和扫描电子显微镜(SEM)集成到一个系统中。Allalin允许“不折不扣”的大视场快速扫描同时获得扫描电镜成像与高光谱或全光谱CL图像。该系统的构建是为了在不牺牲扫描电镜(SEM)性能的前提下获得的阴极发光性能:光学显微镜和扫...
Thermo Scientific SEM和DualBeam产品系列拥有多种第三方 CL 配件。这些配件通常专用于光谱 CL(防护等级)检测,即采集图像所有像素的全光谱信息(也称为高光谱成像)。虽然这提供了大量信息,但大多数 CL 解决方案仍存在对准和易用性问题、工作距离和视野的限制、和/或无法同时检测 X 射线/背散射电子信号。
当被电子束击中时,样品中的许多过程都会受到刺激,但阴极发光(CL)仍然是最有用的过程之一。CL是可见的,从标本发出的紫外线可用于揭示有关电子结构的重要信息。这种技术通常用于表征光电子材料和器件,但在许多岩石和矿物中,我们可以使用它来揭示与EDS更低的检测限的微量元素化学 - 有时低至百万分之一的水平。