最近，国产闪存芯片巨头长江存储推出了第五代294层3D NAND存储芯片，性能已经接近国际主流水平，这一突破不仅象征着国产存储芯片技术的显著提升，也代表着国产存储行业的全面反攻。但问题是，纵使长江存储有了这项新技术，我们是否真的能够摆脱对外国存储芯片的依赖？这场“芯片战争”究竟会如何演绎？在中国存储芯片行业中...
根据TechInsights最新消息，国产闪存巨头长江存储已开始出货其第五代3D NAND存储芯片，该芯片共有294层，有232个有效层。据了解长江存储最新的3d NAND存储芯片的位密度接近每平方毫米20Gb（19.8 Gb/mm²），与SK海力士目前的主流产品相当，接近铠侠/西部数据的最新产品。也就是说，长江存储最新的存储芯片不仅已经追...
9 月 23 日消息，据媒体报道，长江存储目前已采用部分国产制造设备替代含美制造设备，以规避美国的相关出口限制。长江存储技术有限公司是中国的一家半导体存储技术公司，专注于 3D NAND 闪存的设计和制造。长江存储使用的的 Xtacking 技术在行业内具有领先地位，它不仅提高了存储密度和 I/O 速度，还通过模块化设计缩短...
长江存储PC41Q是基于其第四代三维闪存芯片打造的QLC商用消费级固态硬盘,拥有高性能、低功耗、更高能耗比等特性。 PC41Q高达2400MT/s的I/O速率,最大顺序读取速度达到5500MB/s。 与此同时,PC41Q内置完善的功耗管理机制,使得其在PS4模式下功耗低至2W,处于行业领先水平。 PC41Q还采用主机缓存方案(HMB)及混合缓存...
所以，三星、SK海力士、美光、长江存储都在竞相提高闪存芯片的层数。2016年48层 3D NAND 芯片问世；2017年64层成为主流；2019年突破128层；2022年达到232层。SK海力士计划2025年量产321层 3D NAND；三星计划在2026年推出第十代 V-NAND，将达到430层，并且宣称到2030年3D NAND会达到1000层。想象一下，1000层的闪存...
长江存储科技有限责任公司2016年7月成立于武汉, 是一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业,同时也提供完整的存储器解决方案。长江存储为全球合作伙伴供应3D NAND闪存晶圆及颗粒, 嵌入式存储芯片以及消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案,广泛应用于移动通信、消费数码、计算机、服务器及数据中心。
4月19日，中国武汉，长江存储科技有限责任公司宣布推出UFS 3.1通用闪存——UC023。这是长江存储为5G时代精心打造的一款高速闪存芯片，可广泛适用于高端旗舰智能手机、平板电脑、AR/VR等智能终端领域，以满足AIoT、机器学习、高速通信、8K视频、高帧率游戏等应用对存储容量和读写性能的严苛需求。UC023的上市标志着长江...
长江存储是国内最大的3D NAND Flash（闪存芯片制造）厂商。长江存储在起诉书中提到，美光使用长江存储的专利技术，以抵御来自长江存储的竞争，并获得和保护市场份额。诉讼旨在解决以下问题的一个方面：美光试图通过迫使长江存储退出3D NAND Flash（闪存）市场来阻止竞争和创新。长江存储指控美光侵犯了美国专利号为“10,950...
晶胞之间通过金属互连线连接，形成一个三维的存储阵列。这种三维的存储方式，可以大大提高闪存芯片的容量密度，也就是单位面积上可以存储的数据量。目前，全球主要的闪存芯片厂商，如三星、美光、SK海力士等，都在生产128层或者176层的闪存芯片。而长江储存则直接跨越了200层的技术门槛，率先推出了300+层闪存芯片。这款...
长江存储研发成功“超牛”闪存芯片 4月13日，长江存储科技有限责任公司(简称“长江存储”)宣布其128层QLC 3D NAND 闪存(型号：X2-6070)研发成功，并已在多家控制器厂商的终端存储产品上通过验证。同时，该公司发布了两款128层3D NAND芯片产品，分别为容量1.33Tb的128层QLC 3D NAND闪存和512Gb的128层TLC 3D ...