Micro-LED具有优越的性能,应用于微型显示器、可见光通信、光学生物芯片、可穿戴设备和生物传感器等领域。目前,Micro-LED显示的技术挑战是如何获得高分辨率和高像素密度。像素尺寸缩小、芯片的周长面积比增大,导致侧壁的表面复合增多,非辐射复合速率变大,从而致使光电效率下降。器件制备过程中的ICP刻蚀,加重了侧壁缺陷。另...
Micro LED显示技术具有高亮度、高对比度、高分辨率、低功耗、长寿命等优点,是继LCD和OLED之后的下一代显示技术,但其大规模商业化面临着技术不成熟、成本高等难题。 技术瓶颈之一是如何实现Micro LED的全彩化。虽然已有几种巨量转移技术方案如弹性印章转印、静电转印等来解决这些问题并取得了成功,但制造能满足AR/VR应...
半导体产业网获悉： 近日，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室梁静秋研究员团队发现，随着尺寸的减小，硅衬底上铝镓铟磷（AlGaInP）红光微型LED芯片可承受的最大电流密度增加，高注入电流下散热特性有所改善，且中心波长偏移减小，该研究有望进一步促进红光微型LED（Micro-LED）在全彩显示技术上...
采用蓝光Micro LED结合量子点色转换阵列的技术路线是可行的全彩化方案。蓝光Micro LED制备工艺成熟、成本相对较低。量子点色转换技术只需要整体地制造具有极高像素密度的蓝光Micro LED显示器,通过图案化的量子点色转换阵列将其部分蓝色像素分别转换成红色和绿色,即可实现全彩显示。 此外,量子点色转换阵列还可以作为OLED的...
半导体产业网获悉:近日,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室梁静秋研究员团队发现,随着尺寸的减小,硅衬底上铝镓铟磷(AlGaInP)红光微型LED芯片可承受的最大电流密度增加,高注入电流下散热特性有所改善,且中心波长偏移减小,该研究有望进一步促进红光微型LED(Micro-LED)在全彩显示技术上的应用。
目前有用于生产的光刻机,有用于LED制造领域的光刻机,还有用于封装的光刻机。光刻机是采用类似照片冲印的技术,然后把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。 2022-02-05 16:03:00 长春光机所红光Micro-LED光电特性研究获进展 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室梁静秋研究...
长春光机所红光Micro-LED光电特性研究获进展 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室梁静秋研究团队使用晶圆键合和衬底转移技术,制备五种像素尺寸(最小尺寸为10μm)的硅衬底AlGaInP红光Micro-LED以探究其尺寸效应。 2022-04-25 15:52:00 ...
奥趋光电核心专注于第三代/第四代超宽禁带半导体氮化铝晶圆衬底材料、蓝宝石基/硅基/碳化硅基氮化铝/氮化铝钪薄膜模板、全自动氮化铝PVT气相沉积炉及其相关产品的研发、制造与销售,核心产品被列入《中国制造2025》关键战略新材料与装备目录,是制备深紫外LED芯片、5G射频前端滤波器、MEMS压电传感器等各类紫外发光器件、...
采用蓝光Micro LED结合量子点色转换阵列的技术路线是可行的全彩化方案。蓝光Micro LED制备工艺成熟、成本相对较低。量子点色转换技术只需要整体地制造具有极高像素密度的蓝光Micro LED显示器,通过图案化的量子点色转换阵列将其部分蓝色像素分别转换成红色和绿色,即可实现全彩显示。
Micro-LED以其优越的性能被应用于微型显示器、可见光通信、光学生物芯片、可穿戴设备和生物传感器等诸多领域。目前,Micro-LED显示的技术挑战是如何获得高分辨率和高像素密度。由于像素尺寸缩小,芯片的周长面积比增大,导致侧壁的表面复合增多,非辐射复合速率变大,从而导致光电效率下降。器件制备过程中的ICP刻蚀,加重了侧壁...