微米先进铝栅工艺开发 东南大学 硕士学位论文 1.0微米先进铝栅工艺开发 姓名：赵少峰 申请学位级别：硕士 专业：软件工程（集成电路）指导教师：时龙兴;滕敬信 20070515
常规标准工艺. 对所确定的工艺流程进行了流片实 验,实验结果表明: PMOS 和 NMOS 的关键电学特 性指标都符合量产要求, 证明该铝栅工艺完全能满 足实际使用的需要,基于本文所设计的铝栅工艺平 台的电路产品已经进入量产阶段. 1 铝栅CMOS 工艺设计 该工艺采用 N 型衬底P 阱技术,同时为了降低 ...
高k栅介质NMOSFET远程声子散射对沟道迁移率的影响 器件沟道长度为1μm,HFO2栅介质厚度为4.88nm;SiO2栅介质厚度为2nm;P衬底掺杂浓度4E15cm^-3;栅电极为铝金属。 2023-07-05 16:45:21 Ibanez使用CMOS反相器制造的TS-808 Tube Screamer实现 描述宇部尖叫者这是 Ibanez 使用 CMOS 反相器制造的TS-808 Tube ...
针对NMOS结构,原来P+和N+是紧邻挨着的状态,将P+和N+拉开一段距离d后,N+和P+之间就会变成P阱,由于P阱的掺杂浓度远低于P+或是N+,N+与P阱的空间电荷区的宽度比N+与P+的空间电荷区的宽度大,因此其耐压能力增强,一般都可使器件的击穿电压达到20V以上,当然,因不同厂家的生产工艺条件会有差异,得到的击穿电压...