E-mail: qiyu@sjtu.edu.cn 第11卷第10 期 2018 年5 月 柳小敏等:铝垫工艺晶须缺陷的改善及管控 1032 Al 之间的扩散;而处于铝薄膜上层的 Ti/TiN 薄膜作 为防反射层提高了光刻工艺的精度。另外,铝垫工艺 采用了掺杂0.5%Cu 的合金铝靶,铝靶中的Cu 原子能 作为“钉扎原子”,在热沉积过程中,大量的 Cu ...
半导体技术,铝垫工艺,晶须缺陷,沉积温度,环境杂质运用物理气相沉积(physical vapor deposition,PVD)方法制备铝薄膜,简要概括了PVD铝薄膜工艺和设备腔体,重点分析了铝薄膜沉积温度及腔体环境杂质对晶须缺陷的影响,并从腔体的日常维护角度出发,提出腔体环境杂质的管控手段和减少腔体维护后杂质含量的方法,使晶须缺陷数量稳定并...