1.铜基底上的单层石墨烯，用砂纸稍微打磨背面，有助于加快铜的刻蚀 2.正面旋涂(或者直接滴涂)pmma溶液...
摘要 本发明涉及一种CVD铜基石墨烯直接转移装置及方法,包括高压刻蚀液装置、目标基层、石墨烯膜和铜箔,所述高压刻蚀液装置的下方放置有目标基层,所述目标基层的上表面放置有石墨烯膜,所述石墨烯膜的上表面放置有铜箔。该CVD铜基石墨烯直接转移装置及方法中利用高压刻蚀液冲击达到既能增加石墨烯与目标基底的结合力同时...
1.铜基底上的单层石墨烯，用砂纸稍微打磨背面，有助于加快铜的刻蚀 2.正面旋涂(或者直接滴涂)pmma溶液...
常用的石墨烯转移技术包括铜衬底湿法刻蚀转移技术和电化学剥离技术。铜衬底刻蚀法的转移过程是先在石墨烯...
铜基石墨烯薄膜(5*5cm) (*)层数可定制: 实现单层、双层、多层等* 石墨烯定*务。 (2) 多种基底石墨烯定制化服务: 为客户提供多种基底石墨烯,如 PDMS、玻璃、石英、云母、硅片、二氧化硅等石墨烯转移服务。 (3) * 方法石墨烯定制化服务: 如掺杂石墨烯、SiC*载流子迁移率石墨烯定制化服务。
摘要 本发明涉及到的一种铜箔基底石墨烯转移的方法,首先将铜箔基底石墨烯晾干;将配置好的PMMA溶液悬涂在石墨烯/铜箔上,形成PMMA/石墨烯/铜箔复合层;然后用过硫酸铵溶液进行刻蚀。本发明为了提高石墨烯的转移质量,提前用丙酮以及异丙醇进行处理硅片,再将PMMA/石墨烯复合层置于硅片上,接着对硅片基底进行加热处理,然后...
摘要 本发明涉及到一种铜箔基底石墨烯转移的改良方法,首先将铜箔基底石墨烯用去离子水清洗干净,并在真空中干燥;将配置好的PMMA溶液均匀旋涂在石墨烯/铜箔上,形成PMMA/石墨烯/铜箔复合层;然后将其置于加热炉中加热,再冷却到室温,以便形成支撑物;再用稀盐酸刻蚀,消除铜基底。本发明为了提高转移石墨烯的质量,采用了RC...
悬空自助转移石墨烯是在泡取式石墨烯的基础上,刻蚀掉铜基底得到石墨烯/保护层薄膜,然后再将石墨烯/保护层膜转移到制“悬空基底”上,这种情况下,使用该产品时只需将其在去离子水中轻轻释放即可得到可直接转移至任何基底的石墨烯/保护层薄膜。石墨烯/保护层薄膜(保护层一般选取PMMA)转移到目标基底后,低温烘干,浸泡...
CVD法制备石墨烯的基本过程: 把基底金属箔片放入炉中,通入氢气和氩气或者氮气保护加热至1000℃左右,稳定温度,保持20min左右;然后停止通入保护气体,改通入碳源(如甲烷)气体,大约30min,反应完成;切断电源,关闭甲烷气体,再通入保护气体排净甲烷气体,在保护气体的环境下直至管子冷却到室温,取出金属箔片,得到金属箔片上...
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