铁电存储器(FRAM,ferroelectric RAM)是一种随机存取存储器,它将动态随机存取存储器(DRAM)的快速读取和写入访问——它是个人电脑存储中最常用的类型——与在电源关掉后保留数据能力(就像其他稳定的存储设备一样,如只读存储器和闪存)结合起来。简介 铁电存储器(FRAM,ferroelectric RAM)是一种随机存取存储器,...
铁电存储器(FRAM) 16-Kbit (2Kx8) Serial (SPI) F-RAM FM25L16B- 见描述 1000 见描述 -- ¥28.0000元1~-- 件 沭阳道而驰亦电子商务有限公司 2年 -- 立即订购 立即询价 查看电话 FM24CL64B-GTR 封装SOP8我用芯 你放芯 I2C接口FRAM铁电存储器芯片 原 ...
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FeRAM(Ferroelectric RAM),缩写为FeRAM或FRAM,类似于SDRAM,是一种随机存取存储器技术。但因为它使用了一层有铁电性的材料,取代原有的介电质,使得它也拥有非挥发性内存的功能。 铁电随机存取内存是一个与电脑内存相关的小作品。产品介绍 铁电存储器是一种在断电时不会丢失内容的非易失存储器,具有高速、高密度...
富士通铁电存储器是富士通旗下的产品。富士通铁电存储器,国际铁电存储器生产商,国内总代理:深圳市英博思电子有限公司。富士通铁电存储器原理:FRAM利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储。铁电效应是指在铁电晶体上施加一定的电场时,晶体中心原子在电场的作用下运动,并达到一种稳定状态;当电场从晶体移走后,中心原子...
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FRAM(铁电随机存取存储器Ferroelectric RAM),也称为FeRAM。这种存储器采用铁电质膜用作电容器来存储数据。FRAM具有ROM(只读存储器)和RAM(随机存取器)的特点,在高速读写入、高读写耐久性、低功耗和防窜改方面具有优势。 FRAM与工业标准EEPROM完全兼容;性能比EEPROM更加突出;读写次数超过1万亿次(5V)、无限次(3.3V),...