英语翻译 单斜晶相钒酸铋(mBiVO4)的禁带宽度为2.3 - 2.4 eV,它足够高的价带完全可以实现空穴(h+)对有机污染物的降解,并且导带位置也有利于光生电子的
钒酸铋的导带和价带的位置可以通过实验测量得到,也可以通过理论计算来估计。 实验测量通常通过光电子能谱(XPS)或紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)来确定钒酸铋的导带和价带位置。在XPS实验中,通过测量样品表面被激发光子击穿后发射出的电子能量和强度来确定其价带和导带位置。而UV-Vis实验则通过测量样品在紫外-可见光波段...
根据研究结果,钒酸铋的导带位于较高能量区域,而价带则位于较低能量区域,二者之间的能隙较小。这种能带结构使得钒酸铋能够吸收可见光范围内的光子,并将其转化为电子和空穴对。导带和价带的相对位置决定了光生电子和空穴对的产生和传输效率,进而影响材料的光催化活性。 4. 钒酸铋的光催化应用前景 由于钒酸铋具有...
在众多研发中的光阳极材料中,钒酸铋(BiVO4)以其较小的能带(约2.4 eV)和合适的价带/导带边缘的位置而成为目前光电分解水电极材料的“明星”。但是同其他阳极材料一样,钒酸铋的吸光范围仅局限在长波紫外和可见光中的一小部分,导致其在1.23 V (vs. NHE) 外加电压下的最大光电流密度一直止步于5 mA/cm2左右。
请问四方相钒酸铋（BiVO4）的价带和导带位置？求一些关于四方相和单斜相钒酸铋混晶效应的文章，十分...
钒酸铋(BiVO4)宽光谱半导体材料具有 2.4 eV 带宽,其导带及价带的位置可将分解水的氧化还原电位夹在其中,吸收 400 - 600 nm 波长范围的可见光,是目前国际太阳能光电催化制氢领域的重要体系之一。但纯的 BiVO4半导体面临严重的光生电子-空穴复合问题。通常采取杂原子掺杂生成氧空位,晶面工程调控纳米结构,以及构建异质...
单斜晶相钒酸铋(mBiVO4)的禁带宽度为2.3 - 2.4 eV,它足够高的价带完全可以实现空穴(h+)对有机污染物的降解,并且导带位置也有利于光生电子的还原,具有较高的氧化能力,且其价带氧化电位位于2.4 eV附近,可实现在可见光下分解水和降解有机污染物.本文综述了mBiVO4应用于降解污染物、光解水产氧以及光电化学分解...
请问四方相钒酸铋（BiVO4）的价带和导带位置？求一些关于四方相和单斜相钒酸铋混晶效应的文章，十分...
单斜晶相钒酸铋(mBiVO4)的禁带宽度为2.3 - 2.4 eV,它足够高的价带完全可以实现空穴(h+)对有机污染物的降解,并且导带位置也有利于光生电子的还原,具有较高的氧化能力,且其价带氧化电位位于2.4 eV附近,可实现在可见光下分解水和降解有机污染物.本文综述了mBiVO4应用于降解污染物、光解水产氧以及光电化学分解...