1.1金属键合的基本流程 金金键合和金锡键合都是半导体行业中常用的键合方法[1]。与金金键合工艺类似,金锡键合仅在密封环金属制备工艺上增加了一层电镀锡,如图1中第二步工艺。这里以ViaFirst工艺流程为例,简单介绍金锡键合在薄膜体声波滤波器晶圆级封装中的工艺步骤。首先,在TSV盖帽晶圆上电镀一层厚约5mm的键合金属,...
1键合金属的比较与选择 1.1金属键合的基本流程 金金键合和金锡键合都是半导体行业中常用的键合方法[1]。与金金键合工艺类似,金锡键合仅在密封环金属制备工艺上增加了一层电镀锡,如图1中第二步工艺。这里以ViaFirst工艺流程为例,简单介绍金锡键合在薄膜体声波滤波器晶圆级封装中的工艺步骤。首先,在TSV盖帽晶圆上电镀一...
综上所述,对比于金金键合,金锡键合工艺的制程价格较低,生产效率相对较高,在晶圆级封装中优势明显。 2金锡键合在晶圆级封装中的风险分析 2.1控制金锡间化物Au5Sn的生成 金锡键合利用金与锡的熔点差异,当温度高于锡的熔点232℃时,锡开始融化并在金界面发生扩散,快速形成金锡的共晶相,冷却后成为稳定的金锡共晶体。
综上所述,对比于金金键合,金锡键合工艺的制程价格较低,生产效率相对较高,在晶圆级封装中优势明显。 2金锡键合在晶圆级封装中的风险分析 2.1控制金锡间化物Au5Sn的生成 金锡键合利用金与锡的熔点差异,当温度高于锡的熔点232℃时,锡开始融化并在金界面发生扩散,快速形成金锡的共晶相,冷却后成为稳定的金锡共晶体。
综上所述,对比于金金键合,金锡键合工艺的制程价格较低,生产效率相对较高,在晶圆级封装中优势明显。 2金锡键合在晶圆级封装中的风险分析 2.1控制金锡间化物Au5Sn的生成 金锡键合利用金与锡的熔点差异,当温度高于锡的熔点232℃时,锡开始融化并在金界面发生扩散,快速形成金锡的共晶相,冷却后成为稳定的金锡共晶体。
金锡键合工艺条件: (1)几何条件:利用键合技术可以有效解诀晶格失配的问题,要保证两个键合晶片的表面平整度与弹性模量的差异要小。 (2)机械条件:键合所需的表面需要非常平滑,表面的粗糙度要求达到2nm以上,配合化学机械研磨(C雔}任)实现。 (3)物理条件:由于磊晶或长晶的过程往往会有一些缺陷,如:晶界(grain...
收藏次数:0 需要金币:*** 金币(10金币=人民币1元) 低温金锡键合与TSV技术.pdf 关闭预览 想预览更多内容,点击免费在线预览全文 免费在线预览全文 Silex 低温金锡键合与TSV技术 Copyright © 2015 Silex Microsystems. All rights reserved. SILEX CONFIDENTIAL Copyright © 2015 Silex Microsystems. All rights re...
1.一种基于金锡合金键合的圆片级低温封装方法,其特征在于,该方法包括: 选择作为盖片和底片的基片; 对盖片正面进行第一次光刻,通过刻蚀和腐蚀制作出一个腔体作为所封装器件或结构的放置空间;对盖片正面进行第二次光刻;按设计的金Au和锡Sn的重量百分比蒸发Cr/Au/Sn/Au的多层金属薄膜;剥离该多层金属薄膜制作出盖片...
相互作用力变化:合金中不同金属原子之间的相互作用力(主要是金属键)可能与纯金属中的有所不同。合金中原子间的键合可能不如纯金属中那样强,这也导致熔点下降。 具体到金锡合金,比如金锡共晶焊料,其共晶点熔点约为280℃,远低于纯金的1064℃和纯锡的232℃。这是因为在这个特定比例下,金和锡形成了一个具有最低熔化温...
本发明属于MEMS和IC封装技术,具体为一种基于金锡共晶的硅/硅键合方法。该方法采用Au/Sn的多层膜结构,通过在电热板上加温加压的方式实现了Au/Sn共晶键合。由于锡层表面镀有一定厚度的金膜(镀锡、镀金膜在真空中一次完成),在短时间加热键合过程中,通过在热板区通惰性气体,减少了锡层的氧化。在键合衬底片下垫上一层...