1. 初识半导体 2. 金属-半导体接触 (1)金属-n型半导体接触 (2)金属-p型半导体接触 3. p-n 结 4. MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管) (1)MOS电容由Gate层(金属层),氧化物层,半导体(Si)层三部分构成。 (2)阈值电压 (3)MOSFET(mental oxide scilion field effect transitior)简称MOS管, 5. BJT(...
相关知识点: 试题来源: 解析 解:当金属和半导体接触接触时,如果对半导体的掺杂很高,将会使得势垒区的宽度变得很薄,势垒区近似为透明,当隧道电流占主要地位时,其接触电阻很小,金属与半导体接触近似为欧姆接触。加上正、反向电压时的能带图如下图所示:反馈 收藏 ...
金属与n型半导体接触形成阻挡层和反阻挡层的条件包括: 1.金属与n型半导体之间的能带差异:金属的费米能级位于导带以下,而n型半导体的费米能级位于导带以上,这样就会在金属-半导体接触处形成一个阻挡层,阻碍电子的穿越。 2.金属与n型半导体之间的化学反应:金属和n型半导体之间可能发生化学反应,形成氧化物等化合物,这些...
金属与N型半导体接触,WM>WS时 WM>WS意味着金属的费米能级低于半导体的费米能级。当金属与N型半导体理想接触时,半导体中的电子将向金属转移,使金属带负电,但是金属作为电子的的“海洋”,其电势变化非常小;而在半导体内部靠近半导体表面的区域则形成了由电离施主构成的正电荷空间层,这样便产生由半导体指向金属的内建电...
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阻挡层:在半导体的势垒区形成的空间电荷区,它主要由正的电离施主杂质或负的电离受主形成,其多子浓度比体内小得多,是一个高阻区域,在这个区域能带向上或向下弯曲形成电子或空穴的阻挡。 假设有一块金属和一块N型半导体,并假定金属的功函数大于半导体的功函数,即: W_m>W_s ,即半导体的费米能 E_{Fs} 高于金属...
【答】(1)半导体的功函数大。(2)金属与n型半导体形成反阻挡层能带图,如图7-4EEF所示。电子的高电导区(3)不能直接相连的原因是,假如金属与半导体直接接E触形成了接触势垒,对半导体器件的IV特性影响较大。|qV_D(4)实际中,对半导体进行电互连时,通常通过欧姆接触,这种接触不产生明显的附加阻抗,且不会使半导体内...
N型金属氧化物半导体场效应晶体管(N-type Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor,N-MOSFET)是一种常见的晶体管类型,用于电子设备中的开关和放大电路。 N-MOSFET由n型半导体基片形成的源和漏,中间隔着一层绝缘氧化物(通常是氧化硅),作为栅极下面的绝缘层。在绝缘层上方,有一层金属栅极,用于控制电流的流...
【答】当金属与n型半导体接触时,若 W_mW ,则在半导体表面形成一个正的空间电荷区,其中电场方向由体内指向表面,使半导体表面电子的能量高于体内,能带向上弯曲,即形成表面势垒。在势垒区中,空间电荷主要由电离施主形成,电子浓度要比体内小得多,因此它是一个高阻的区域,常称为阻挡层。如图7-2所示。nsEEpE图7-2答...
金属-半导体整流结 正偏pn结和肖特基势垒结的电流-电压特性 金属-半导体的欧姆接触特性 非均匀掺杂pn结的特性 pn结的常规制备技术 1.pn结的基本结构 整个半导体材料时一块单晶半导体,其中掺入受主杂质原子的形成p区,相邻的另一区掺入施主杂质原子形成n区。分割pn区的界面为冶金结。