1. 初识半导体 2. 金属-半导体接触 (1)金属-n型半导体接触 (2)金属-p型半导体接触 3. p-n 结 4. MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管) (1)MOS电容由Gate层(金属层),氧化物层,半导体(Si)层三部分构成。 (2)阈值电压 (3)MOSFET(mental oxide scilion field effect transitior)简称MOS管, 5. BJT(...
金属与n型半导体接触形成阻挡层和反阻挡层的条件包括: 1.金属与n型半导体之间的能带差异:金属的费米能级位于导带以下,而n型半导体的费米能级位于导带以上,这样就会在金属-半导体接触处形成一个阻挡层,阻碍电子的穿越。 2.金属与n型半导体之间的化学反应:金属和n型半导体之间可能发生化学反应,形成氧化物等化合物,这些...
阻挡层:在半导体的势垒区形成的空间电荷区,它主要由正的电离施主杂质或负的电离受主形成,其多子浓度比体内小得多,是一个高阻区域,在这个区域能带向上或向下弯曲形成电子或空穴的阻挡。 假设有一块金属和一块N型半导体,并假定金属的功函数大于半导体的功函数,即: W_m>W_s ,即半导体的费米能 E_{Fs} 高于金属...
试根据能带图定性分析金属-n型半导体形成良好欧姆接触的原因。相关知识点: 试题来源: 解析 解:当金属和半导体接触接触时,如果对半导体的掺杂很高,将会使得势垒区的宽度变得很薄,势垒区近似为透明,当隧道电流占主要地位时,其接触电阻很小,金属与半导体接触近似为欧姆接触。加上正、反向电压时的能带图如下图所示:...
WM>WS意味着金属的费米能级低于半导体的费米能级。当金属与N型半导体理想接触时,半导体中的电子将向金属转移,使金属带负电,但是金属作为电子的的“海洋”,其电势变化非常小;而在半导体内部靠近半导体表面的区域则形成了由电离施主构成的正电荷空间层,这样便产生由半导体指向金属的内建电场,该内建电场具有阻止电子...
金属与N型半导体形成的整流接触,扩散理论适用于( )半导体 A.不确定 B.势垒区宽度远小于电子的平均自由程 C.势垒区宽度远大于电子的平均自由程 D.势垒区宽度等于电子的平均自由程 点击查看答案进入小程序搜题 你可能喜欢 A、A B、B C、C D、D 点击查看答案进入小程序搜题 为了纪念红一方面军胜利到达...
如图 4 接着输入“MESFET-N”,然后点击“Place MESFET-N”如图 5 此时出现一个活动的N型金属半导体场效应晶体管,如图 6 拖动N型金属半导体场效应晶体管到合适的位置,单击鼠标左键完成绘制,如图,这样一个N型金属半导体场效应晶体管就绘制好了。注意事项 注意金属半导体场效应晶体管的封装。
百度试题 题目对于理想的金属-N型半导体接触,以下两种情况请连线: 相关知识点: 试题来源: 解析 正确答案 1.--- A 2.--- B
【解析】【答】当金属与n型半导体接触时,若 W_mW_(v_(12)) ,则在半导体表面形成一个正的空间电荷区,其中电场方向由体内指向表面,使半导体表面电子的能量高于体内,能带向上弯曲,即形成表面势垒。在势垒区中,空间电荷主要由电离施主形成,电子浓度要比体内小得多,因此它是一个高阻的区域,常称为阻挡层。如图7-2...
【答】(1)半导体的功函数大。(2)金属与n型半导体形成反阻挡层能带图,如图7-4EEF所示。电子的高电导区(3)不能直接相连的原因是,假如金属与半导体直接接E触形成了接触势垒,对半导体器件的IV特性影响较大。|qV_D(4)实际中,对半导体进行电互连时,通常通过欧姆接触,这种接触不产生明显的附加阻抗,且不会使半导体内...