金属-半导体-金属光电探测器 《金属-半导体-金属光电探测器》是上海交通大学出版社出版的图书，作者是史常忻。内容介绍
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这两个值与之前报道的Ga2O3光电探测器相比有明显提高。 相较于之前的Ga2O3光电探测器,MSMε-Ga2O3SBPD展现了更为良好的综合性能,其中包括基于MSM结构实现的当前高的响应度(230 A/W)和抑制比(R250 nm/R400 nm)为1.2×105,高的归一化探测率,光暗电流比,低暗电流和短的下降时间。 ε-Ga2O3薄膜第一性原理...
摘要 本发明公开了一种基于金属‑半导体‑金属结构的透明紫外光电探测器,自下而上依次为透明基底、有源层和叉指电极;所述的有源层为透明的宽禁带半导体,禁带宽度大于3.1 eV,厚度大于紫外光渗透深度;所述的叉指电极为超薄金属薄膜,厚度小于等于15 nm,可见光‑近红外波段透射率大于70%;整个紫外光电探测器透明,...
中国金属-半导体-金属光电探测器行业市场占有率及投资前景预测分析报告 中国金属-半导体-金属光电探测器行业市场占有率及投资前景预 测分析报告 博研咨询&市场调研在线网
基于范德华金属-半导体结的自供电双极性光电探测器:石墨烯/WSe2/Fe3GeTe2异质结 摘要 具有信号反转响应的自驱动光传感器由于具有更好的信号识别和增强的信号处理效率,有潜力在多信号的复杂环境中作为光电探测器工作。在此,我们提出了一种基于双极性WSe2的金属-半导体-金属光电探测器,其中两个电极由二维范德瓦尔斯(...
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硅锗光电探测器肖特基势垒暗电流响应度表面等离子体时域有限差分 系统标签: 光电探测器硅基半导体金属暗电流性能 壁基堡垒厘二坐昱佳=垒属羞电拯测墨 数性能盐丝复遮i土巫窒 论指论文评阅人1: ⑧评阅人2.亟适磋逊 评阅人3:邸猃丞亟I叁丝 评阅人4: 评阅人5: 答辩委员会主席: 委员l: 委员2: 委员3: ...
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