目前工业广泛使用的著名的Cu/ZnO/Al2O3催化剂也具有金属-氧化物界面效应。近年来很多金属与氧化物之间的界面效应在催化反应中逐渐被发掘出来,如Au-TiO2,Au-Fe2O3,Ag-CeO2,Pt-TiO2,Pt-CeO2,Pt-FeOx,Pd-Fe2O3,Pd-CeO2,Pd-Al2O3等。 图5. Pt-FeOX界面...
傅强, 包信和 中国科学院大连化学物理研究所催化基础国家重点实验室, 大连市中山路 457 号, 116021 关键词: 铁氧化物, 界面限域, Pt(111), Au(111) 大多数的多相催化催化剂是由氧化物担载的金属纳米粒子组成, 为了更好地理解金属-氧化物界面效应, 人们提出了反转催化剂模型体系, 即将氧化物担载在金属衬底上...
因此,我们在半导体模块的案例库中包含了一些金属-硅-氧化物电容器教程模型。在这里,我们使用一维 MOSCAP 界面陷阱模型来展示陷阱辅助表面复合特征。 顾名思义,金属-硅-氧化物电容器模型是一个简单的一维 MOSCAP 模型,包括界面陷阱的影响。该模型是基于 E.H. Nicollian 和 A. Goetzberger 的论文(参考文献 1)的图...
摘要 本发明提供了一种基于金属氧化物界面工程的场效应晶体管、pH传感器及其制备方法,从下往上依次包括硅衬底、介电层、图形化的氧化铟沟道,所述氧化铟沟道上设有源极和漏极,所述氧化铟沟道,源极和漏极上盖有一层氧化铝钝化层。通过基于溶液法的工艺在氧化铟场效应晶体管上沉积了一层超薄的氧化铝,制备了pH...
p型金属氧化物半导体场效应晶体管(pMOSFET)将在工作中不断退化,而其SiO2/Si界面处界面态的积累是导致其退化的主要原因之一.采用三维器件数值模拟方法,基于130nm体硅工艺,研究了界面态的积累对相邻pMOSFET之间单粒子电荷共享收集的影响.研究发现,随着pMOSFETSiO2/Si界面处界面态的积累,相邻pMOSFET漏端的单粒子电荷...
本发明提供了一种基于金属氧化物界面工程的场效应晶体管,pH传感器及其制备方法,从下往上依次包括硅衬底,介电层,图形化的氧化铟沟道,所述氧化铟沟道上设有源极和漏极,所述氧化铟沟道,源极和漏极上盖有一层氧化铝钝化层.通过基于溶液法的工艺在氧化铟场效应晶体管上沉积了一层超薄的氧化铝,制备了pH响应的氧化铝/...
一种具有异质结界面效应的金属氧化物@金属复合物/石墨烯核壳半导体材料的制备方法专利信息由爱企查专利频道提供,一种具有异质结界面效应的金属氧化物@金属复合物/石墨烯核壳半导体材料的制备方法说明:一种具有异质结界面效应的金属氧化物@金属复合物/石墨烯核壳半导体材料
具体实施方式一:本实施方式是一种具有异质结界面效应的金属氧化物@金属复合物/石墨烯核壳半导体材料的制备方法,具体是按以下步骤完成的: 一、制备金属氧化物纳米球: ①、将金属盐溶解到乙二醇中,再在搅拌速度为600r/min~1000r/min下搅拌反应10min~60min,得到混合溶液;将混合溶液转移至反应釜中,再将反应釜在温...
《纳米金属氧化物的多界面化学行为及其DNA损伤效应》是依托华中科技大学,由江明担任项目负责人的青年科学基金项目。项目摘要 针对纳米金属氧化物易于吸附环境中多种成分,自身具有较强的催化能力,在环境中可长期存在,并易于进入人体细胞等特点,以纳米氧化铁为研究对象,研究纳米氧化铁在气相和液相中的多界面化学行为,...