近日,中国科学院金属研究所的科研人员提出了一种使用晶圆级碳纳米管(CNT)薄膜作为插入层调制金属/n-锗费米能级钉扎效应的方法,CNT薄膜在不产生明显电阻的情况下有效降低了肖特基势垒高度,从而在金属和轻掺杂n-Ge之间形成欧姆接触,并得到了已报道的最小接触电阻;同时,所制器件还提供了研究钉扎机制的平台,并表明在该...