通过将金刚石引入晶体管结构中，研究人员发掘了更小、更快且更节能的电子元件潜力。这些金刚石晶体管不仅超越了传统硅基元件的性能，更在极端条件下展现出了卓越的运行能力。这一突破性进展的关键在于将磷掺杂金刚石外延层融入晶体管设计。磷掺杂技术能够增强材料的导电性，从而促进电子的有效流动。这种创新的n沟道层替...
通过将金刚石晶体管融入电子元件，我们有望见证更小、更快且更节能的设备诞生，从而开辟电子设计与性能创新的新篇章。此外，金刚石的宽带隙特性使得这些晶体管能在更高的电压和频率下稳定工作，为提升各类电子应用性能奠定了坚实基础。金刚石作为半导体材料的卓越性能，使其成为推动下一代电子技术进步不可或缺的力量。...
最近,随着H终端金刚石表面二维空穴气的发现,研究重心逐渐转向优化H终端金刚石的导电特性及制备场效应晶体管(FET)。综述了H终端金刚石研究的发展历程,从栅层材料选择、表面终端处理、金刚石掺杂和FET结构优化出发,归纳了提升表面终端金刚石FET器件性能的方法,并对表面终端金刚石FET的发展前景进行了总结和展望。 关键词:...
为制造CMOS集成电路,传统的硅电子器件需要p型和n型沟道MOSFET。然而,n沟道金刚石MOSFET尚未开发。 全球首款用于CMOS集成电路的N沟道金刚石场效应晶体管 世界上第一个N沟道金刚石场效应晶体管(左图),金刚石外延层表面形态的原子力显微镜图像(中图),金...
研究人员开发出世界上第一个N型金刚石晶体管 最近,日本研究人员在电子领域取得了重大进展,他们成功制造了世界上第一个“n沟道”金刚石基晶体管。这一发展是生产能够在高温下运行的处理器的关键一步,消除了对直接冷却机制的需求并扩大了电子元件的操作范围。
这金刚石晶体管呢,在高温下就好比是一个不知疲倦的小劳模。一般的晶体管啊,到了高温环境,那性能就跟泄了气的皮球似的,直线下降。可这金刚石晶体管不一样,它还能稳稳当当干活儿。为啥呢?就是因为它内部的电子啊,就像训练有素的小士兵。在高温下,别的材料里的电子可能都乱跑乱撞,像没头的苍蝇。但这金刚石里头...
金刚石晶体管电源指日可待 — 整个过程由日本构建 许多日本公司和研究人员正在接近钻石上电力电子器件的商业发布。这将在明年发生，到本十年末将得到广泛需求。与硅相比，金刚石部件可以承受 50,000 倍的电流。这对于电动汽车、发电厂以及通常对于紧凑、可靠和强大的电源和电源电路都是必要的。用于清理福岛放射性废墟的...
金刚石基晶体管取得重要突破 近日,格拉斯哥大学詹姆斯·瓦特工程学院教授戴维·莫兰 (David Moran) 带领研究团队与澳大利亚皇家墨尔本理工大学和美国普林斯顿大学合作完成研究,其研究成果《极端增强模式操作积累通道氢终端金刚石场效应晶体管(Vth<−6V 和高导通电流)》(Extreme Enhancement-Mode OperationAccumulation Channel ...
研究人员开发出世界上第一个N型金刚石晶体管 最近,日本研究人员在电子领域取得了重大进展,他们成功制造了世界上第一个“n沟道”金刚石基晶体管。这一发展是生产能够在高温下运行的处理器的关键一步,消除了对直接冷却机制的需求并扩大了电子元件的操作范围。
金刚石基晶体管实现里程碑式突破 由格拉斯哥大学研究人员领导的一项具有里程碑意义的进展可能有助于创造用于大功率电子产品的新一代金刚石基晶体管。 该团队找到了一种新方法,将金刚石作为晶体管的基础,该晶体管在默认情况下保持关闭状态,这对于确保导通时携带大量电流的设备的安全至关重要。