爱采购为您精选213条热销货源,为您提供双极晶体管、数字晶体管、模块晶体管,晶体管厂家,实时价格,图片大全等
金刚石晶体管的推出为改善电子行业提供了绝佳的机会。 通过在晶体管(本质上是促进电子电路中电流流动的电气开关)结构中使用金刚石,研究人员释放了更小、更快、更节能的电子元件的潜力。此外,这些金刚石晶体管表现出在极端条件下运行的能力,超越了传统硅基元件的限制。 这一开发的成功在于将磷掺杂金刚石外延层纳入晶体...
最近,随着H终端金刚石表面二维空穴气的发现,研究重心逐渐转向优化H终端金刚石的导电特性及制备场效应晶体管(FET)。综述了H终端金刚石研究的发展历程,从栅层材料选择、表面终端处理、金刚石掺杂和FET结构优化出发,归纳了提升表面终端金刚石FET器件性能的方法,并对表面终端金刚石FET的发展前景进行了总结和展望。 关键词:...
将金刚石晶体管集成 到电子元件中可能会导致更小、更快、更节能的设备,为电子设计和性能的创新开辟新途径。 此外, 金刚石的宽带隙 使这些晶体管能够在更高的电压和频率下工作,为增强各种电子应用的性能铺平了道路。金刚石作为半导体材料的坚固特性使其成为 ...
研究人员开发出世界上第一个N型金刚石晶体管 最近,日本研究人员在电子领域取得了重大进展,他们成功制造了世界上第一个“n沟道”金刚石基晶体管。这一发展是生产能够在高温下运行的处理器的关键一步,消除了对直接冷却机制的需求并扩大了电子元件的操作范围。
一般来说,掺杂硼的金刚石场效应管采用肖特基触点作为栅电极,因为实现n型导电性金刚石仍然是一个重大挑战。然而,已报道的金属半导体场效应管(MESFET)器件通常显示“正常导通”特性,这对于电路的安全性和能效来说并不理想。 金刚石具有超宽带隙、高临界电场、高导热系数等优异的物理性能,是下一代电力电子器件的理想候选...
常见的FET包括金属氧化物场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)、金属-半导体场效应晶体管(Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor,MESFET)等。不同类型的FET依赖于不同的导电机制。 1.2 金刚石材料性质 金刚石是一种具有优异物理、化学和电子特性的材料。其晶格结构稳定,具有极高...
美国国家材料科学研究所(NIMS)的研究团队开发了世界上第一个n沟道金刚石MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。开发的n沟道金刚石MOSFET为CMOS(互补金属氧化物半导体:计算机芯片中最流行的技术之一)集成电路以及金刚石电力电子技术的发展迈出了关键的一步...
近期,美国国家材料科学研究所(NIMS)团队研发了世界上第一个基于金刚石n型沟道驱动的金属氧化膜半导体场效应晶体管(MOSFET)。该成果对于以普通电子器件IC为代表的单片集成化(在一个半导体基板内集成多个器件),实现其耐环境型互补式金属氧化膜半导体(CMOS)集成电路。该研究进展以“High-Temperature and High-Electron Mob...
金刚石场效应晶体管及深紫外光电探测研究-近日,“2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛”于西安召开。论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)指导,西安交通大学、极智半导体产业网(www.casmita.com)、第三代半导体产业主办,西安电子科技大学、中国科学