载流子屏蔽效应可降低量子阱中杂质散射的影响 。强电场下量子阱的能带填充效应表现更为显著 。低温环境中载流子屏蔽效应的作用会增强 。量子阱宽度变化对能带填充效应有明显影响 。不同材料构成的量子阱载流子屏蔽效应有差异 。能带填充效应与量子阱中载流子浓度密切相关 。 载流子屏蔽效应受量子阱中载流子迁移率制约 。
量子阱器件,即指采用量子阱材料作为有源区的光电子器件,如量子阱激光器。量子阱激光器中的有源层厚度减薄到玻尔半径或德布罗意波长数量级时,会出现量子尺寸效应,载流子被限制在有源层构成的势阱内,该势阱称为量子阱。 量子阱激光器具有高效、小型化、低功耗等优点,广泛...
,简述量子阱的量子约束Stark效应。相关知识点: 试题来源: 解析 答:垂直于界面的电场对量子阱光吸收的效应更为明显,激子的吸收峰向低能方向移动,激子峰的形状在一定电场强度下仍保持不变,这一效应甚至在室温下也能观察到,称为量子约束Stark效应。反馈 收藏 ...
量子阱是指由2种不同的半导体材料相间排列形成的、具有明显量子限制效应的电子或空穴的势阱。量子肼的最基本特征是，由于量子阱宽度(只有当阱宽尺度足够小时才能形成量子阱)的限制，导致载流子波函数在一维方向上的局域化。在由2种不同半导体材料薄层交替生长形成的多层结构中，如果势垒层足够厚，以致相邻势...
为研究应变GaN/AlGaN量子阱中受屏蔽激子的压力效应,我们采用了光致发光光谱技术来测量激子的能级结构和动力学特性。实验结果表明,随着压力的增加,激子的能级结构发生明显的变化,且这种变化与理论预测相符合。此外,我们还观察到压力对激子寿命和迁移率的影响,进一步证实了压力对激子行为的调控作用。 七、结论与展望 本文...
量子隧穿效应，Quantum tunnelling effect」是一种「衰减波耦合效应」，其量子行为遵守薛丁格波动方程式，...
在GaN/AlGaN量子阱中,激子受到周围介质的屏蔽效应。这种屏蔽效应会影响激子的能级结构、跃迁几率等性质。屏蔽效应在某种程度上取决于介质的介电常数,因此研究屏蔽效应有助于我们更好地理解激子在量子阱中的行为。 四、压力对激子的影响 当外部压力作用于GaN/AlGaN量子阱时,量子阱的结构会发生应变,从而影响其中的激子。
量子隧穿效应，Quantum tunnelling effect」是一种「衰减波耦合效应」，其量子行为遵守薛丁格波动方程式，...
研究团队成功观测到了严格等间距的量子阱态,傅里叶分析表明具有良好的周期性。同时,在堆垛的纳米岛结构中,相应观测到了两套不同周期的等间距量子阱态叠加形成的复式谱。基于相对论粒子的唯象模拟和法布里-珀罗公式拟合,研究团队印证了相对论粒子的限制效应为等间距量子阱态的物理起因。第一性原理计算结果表明,Pb中的...
本篇论文旨在探讨应变GaN/AlGaN量子阱中受屏蔽激子在压力作用下的变化与效应。 二、GaN/AlGaN量子阱结构 GaN/AlGaN量子阱是由交替生长的氮化镓(GaN)和铝镓氮(AlGaN)层构成。由于两种材料之间的晶格常数和热膨胀系数的差异,会产生应变效应,这种效应对量子阱中的电子和空穴的能级结构有显著影响。 三、激子及其屏蔽效应...