最后就多量子阱垒层掺In对LED发光效率的影响进行了详细研究。首先利用X射线衍射仪、光致发光谱探讨了部分量子阱垒层掺In和全部量子阱垒层掺In与常规量子阱结构在结晶质量、多量子阱结构特性、光致发光波长(强度、半高宽)等方面的差异,然后把生长的外延片通过常规LED正装工艺制成芯片,测试了器件的发光特性。基于对...
题目:InGaN/GaN多量子阱势垒层掺In工艺及其应用研究 背景介绍: InGaN/GaN多量子阱是近年来研究的热点。其中InGaN材料具有宽波段的吸收和发射特性,可用于照明、显示、激光器等领域。然而,InGaN材料在生长和制造过程中存在一些困难。其中重要的一项是控制In浓度。为了解决这个问题,掺入In元素的InGaN/GaN多量子阱被提出。
生长非掺杂GaN层、生长n型AlGaN层、生长n型GaN层、生长有源层MQW、生长P型AlGaN层、生长P型GaN层、生长p型接触层步骤,在传统的有源层GaN势垒层中间穿插生长一个AlGaN薄层,以增强发光层对电子的限制和扩展能力,提高量子阱束缚电子的能力,使得空穴和电子在势阱的辐射复合率明显增加,增强内量子效率,从而改善LED器件的...
多量子势垒双阻挡层结构对AIGaN基深紫外激光二极管的性能优化
1、本发明提出了一种具有algan/ingan超晶格势垒层的量子阱led及其制备方法。本发明所述的量子阱led,通过采用algan/ingan超晶格材料作为量子阱结构的势垒层并调控组分,与alingan相比可在较低的al组分和in组分下大幅减小与ingan阱层的极化失配,降低量子阱中极化电场强度,提高led的发光性能,且与alingan相比高质量algan/ing...
度与势阱层加势垒层的总厚度的比来决定的。为了进一步降低阈值电流在对注入效率进行研究的基础上提出了势垒高度较低的多量子阱结构所示。其获得改进的原因在于在等高势垒的多量子阱激光器中当需要得到高的光增益时就要加大注入电流这会引起载流子在高次量子能级的占有从而使增益谱加宽阈值电流增加。而量子阱区的势垒降...
一种插入AlInGaN势垒层结构的InGaN/GaN多量子阱太阳能电池专利信息由爱企查专利频道提供,一种插入AlInGaN势垒层结构的InGaN/GaN多量子阱太阳能电池说明:本发明公开了一种插入AlInGaN势垒层结构的InGaN/GaN多量子阱太阳能电池,包括一衬底...专利查询请上爱企查
一种低势垒多量子阱高阻缓冲层外延结构及其制备方法专利信息由爱企查专利频道提供,一种低势垒多量子阱高阻缓冲层外延结构及其制备方法说明:本发明公开了一种低势垒多量子阱高阻缓冲层外延结构及其制备方法,包括由下至上层叠设置的衬底、成核...专利查询请上爱企查
本发明公开了一种低势垒多量子阱高阻缓冲层外延结构及其制备方法,包括由下至上层叠设置的衬底、成核层、低势垒多量子阱高阻缓冲层和GaN层;在所述低势垒多量子阱高阻缓冲层中,每个多量子阱周期中包括交替层叠的AlaGa1‑aN势阱层和AlbGa1‑bN势垒层;在AlaGa1‑aN势阱层中0%≤a≤90%,在AlbGa1‑bN势垒层中...
InGaN_GaN多量子阱势垒层掺In工艺及其应用研究_吕拴军