摘要:针对削弱暗计数噪声对单光子雪崩二极管(single-photon avalanche diode, SPAD)探测器的影响, 本文研究了采用多晶硅场板降低SPAD器件暗计数率(dark count rate, DCR)的机理和方法. 基于0.18-μm 标准CMOS工艺, 在一种可缩小的P+/P阱/深N阱器件结构的P+有源区和浅沟道隔离区(shallow trench isolation, STI)...