迪尔-格罗夫模型 迪尔-格罗夫模型（Deal-Grove model）是1993年公布的电子学名词。公布时间 1993年，经全国科学技术名词审定委员会审定发布。出处 《电子学名词》第一版。
硅在分子氧中的氧化过程可以按照全反应方程进行：Si(固体) + O2(气体) → SiO2。这一过程被称为干氧氧化，使用分子氧而非水蒸气作为氧化剂。在热氧化层大于300Å的情况下，迪尔-格罗夫模型能够很好地预测氧化层的厚度。有趣的是，生长氧化层并不需要高温。事实上，硅在空气中即使在室温下也会...
在室温下，硅与氧气分子均缺乏足够的活性以扩散穿过自然氧化层。在经过一定时间后，反应有效率降低，氧化层厚度通常不会超过25Å。为了实现连续反应，硅片需在氧气气氛中加热。假定氧气（O2）为氧化气氛。图中展示四个氧化度：Cg代表远离硅片的气流中氧气浓度，Cs为硅片表面气体中的氧浓度，Co是硅片...
迪尔格罗夫氧化模型与费克第一定律在描述物质扩散方面存在直接关联。费克第一定律指出，物质的扩散速率与浓度差成正比，并且与物质的性质和扩散介质的性质相关。具体表达式为 J1≈DO2(Cg-Cs)/ts1，其中ts1代表滞留层厚度，Cg表示氧化炉中氧气分压强，可以通过理想气体定律计算得出，即Cg=n/V=Pg/kT，...
___是由迪尔(Deal)和格罗夫(Grove)发展的线性一抛物线性模型;tox为硅片经过t时间后SiO2的生长厚度(μm ) B为抛物线速率系数(μm2/h) B/A为线性速率系数(μm/h) t0为初始氧化层厚度(μm)为生成初始氧化层to (μm)所用的时间(h)t_0^2+At_0^2+B(t+t) 氧化层足够薄时tox很小t_(ox)=b/A(t...
迪尔-格罗夫(Deal-Grove)氧化模型中,氧化物有两个生成阶段描述:___和___。参考答案:1、线性阶段 2、抛物线阶段 点击查看答案进入小程序搜题你可能喜欢我国《刑法》条文中的“但书”为( ) A、是对条文前段的补充 B、是对条文前段的例外 C、是对条文前段的限制 D、是对条文前段的扩张 点击查看答案进入小程序...
试给出迪尔—格罗夫模型两种极限情况的示意图。并说明其物理意义。 参考答案:Deal-Grove氧化模型(线性-抛物线模型 linear-parabolic model),是可... 点击查看完整答案 您可能感兴趣的试卷 你可能感兴趣的试题 1.问答题氧化硅的热动力学生长过程中包括哪几个主要过程?并说明每一种过程中的什么因素对氧化生长...
迪尔格罗夫氧化模型是1965年迪尔-格罗夫提出的模型。基本介绍 硅在分子氧中的氧化按照全反应方程进行：Si(固体) + O2(气体) → SiO2 此过程称为干氧氧化（dry oxidation），因为它用分子氧而不是水蒸气作氧化剂。在热氧化层大于300Å的情况下，用迪尔-格罗夫模型可很好的预测氧化层厚度。生长氧化层不需要高温。...