根据Mott-Gurney定律，电荷的迁移速率与电场强度E的平方根成正比，表达式如下：μ = (9/8) * ε * ε0 * E / n 其中，μ表示迁移率，ε表示介电常数，ε0表示真空介电常数，E表示电场强度，n表示电荷载流子的浓度。4. 使用Mott-Gurney定律计算迁移率 要使用Mott-Gurney定律计算迁移率，需要测量材料中电荷...
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为什么? 半导体的由阳温度系数是正的还是负的?当什么 相关知识点: 试题来源: 解析 4.强电场作用下,迁移率的数值与场强E有关,这时欧姆定律是否仍然正确。为什么。各在什么样晶体中起主要作用。9.说明本征锗和硅中载流子迁移率温度增加如何变化。反馈 收藏 ...
桑代克的学习三定律指的是( )。 A、准备率、效果律、练习律 B、准备率、练习律、类化率 C、练习律、思考率、迁移率 D、练习律、准备率、近因率 你可能感兴趣的试题 问答题 公鹿生茸期的生理特点是性欲___,食欲___,增膘较快,鹿茸生长。 答案:消失;旺盛 ...
尤金·菲茨杰拉德教授在科技创新上作出的最重要贡献之一是研发出集成电路芯片的高迁移率应变硅技术(Strained Si),该技术在英特尔、台积电等龙头企业被大规模产业化,广泛应用于当代芯片产品中,产生了极大的经济效益,成为推动集成电路“摩尔定律”发展的一项不可或缺的关键技术。