1.载流子的漂移运动、迁移率:载流子在电场作用下的运动称为漂移运动,满足:(漂移运动)(欧姆定律微分形式)J=nqμ|E|(漂移运动)=σ|E|(欧姆定律微分形式),并且电导率与迁移率的关系为σ=nqμ;对于半导体材料,半导体电导率与载流子浓度和迁移率的关系为:σ=nqμn+pqμp。 2.载流子的散射:散射的原因是周期性势...
4.3载流子散射+迁移率与杂质浓度和·温度的关系是【半导体物理】半导体物理期末考试速成课,不挂科!!#高数帮的第16集视频,该合集共计27集,视频收藏或关注UP主,及时了解更多相关视频内容。
半导体中载流子在运动过程中遭到散射的根本原因是周期性势场的被破坏。 主要方式 ①电离杂质的散射:给体杂质在电离后是一个带正电的离子,而受体杂质电离后则是负离子。在正离子有或负离子周围形成一个库仑势场,载流子将受到这个库仑场的作用,即散射。②晶格振动的散射:光学波和声学波散射。随着温度的增加,晶格振...
总的来说,载流子会在运动过程中由于散射的作用而不断改变运动方向和速度,但其总体上的运动方向却是与电场方向相平行的。而且,在恒定电场以及温度作用下,载流子的运动在宏观上将表现出一致性,也就是说,在恒定电场下,电流方向及密度是恒定的。 载流子散射相关概念 为了进一步描述载流子的散射行为,我们人为地定义了一些...
载流子的散射机制 一、课程概述半导体物理与器件是微电子、光电子及新能源光伏等专业的必修课程,是后续专业课程学习的基础。通过课程的学习,同学们能掌握半导体物理和器件的基础理论,了解半导体的发展和应用。课程包含半导体课程先导知识,半导体物理及半导体器件三部分
载流子的散射主要有以下两方面的原因:(1)晶格散射半导体晶体中规则排列的晶格,在其晶格点阵附近产生热振动,称为晶格振动。由于这种晶格振动引起的散射叫做晶格散射。温度越高,晶格振动越强,对载流子的晶格散射也将增强。在低掺杂半导体中,迁移率随温度升高而大幅度下降的原因就在于此。(2)电离杂质散射杂质原子和晶格缺...
百度试题 题目在低温下,掺杂硅的载流子散射机制主要是( )。A.载流子-载流子散射B.晶格散射C.电离杂质散射D.合金散射 相关知识点: 试题来源: 解析 C 反馈 收藏
1.载流子散射的原因 载流子散射是由于半导体材料中的结晶结构不完美、温度效应和杂质等因素引起的。以下是一些常见的载流子散射原因: 声子散射:这是最常见的载流子散射机制之一。载流子与晶格中的振动声子发生碰撞,导致能量和动量的损失。 杂质散射:杂质是晶体中的不同原子或分子,它们的存在导致载流子与杂质发生碰撞,影响...
什么是载流子散射?主要散射机制是什么?相关知识点: 试题来源: 解析 答:热运动中的载流子,由于晶格热振动或电离杂质以及其它因素的影响,不断地遭到散射,其速度的大小和方向不断地在改变着,这就是载流子的散射;主要的散射机构是电离杂质散射和晶格振动散射。