在地面交通领域,ISO26262将α粒子和大气中子诱发集成电路软错误作为系统安全的重要基础数据来源。汽车电子认证标准AEC-Q100将集成电路(具有大于1MB SRAM或DRAM)在α粒子和大气中子下的软错误率作为单独认证项目。 问题3 软错误率实验如何实现的,需要具备哪些条件? 软错误率实验目前主要采用加速实验辐射方式完成对集成电路...
由于使用了倒装焊（flip-chip）和3D封装，锡膏凸点（solder bumps）已经非常靠近硅器件，即使是低能量的α射线也能引起软错误。因此，需要开发低α活性无铅锡膏（Low Alpha activity Pb-free solders），以减少软错误的发生。焊料的α粒子来源含铅焊料被认为是α粒子的主要来源，这一点由北卡罗莱纳州微电子中心（MCNC...
在高可靠性和强安全依赖性的电子设备应用领域,控制芯片,存储芯片等复杂集成电路,受α粒子和大气中子辐射产生的软错误及软错误率是必要的考核项目。 如在航空领域IEC 62396《航空电子设备过程管理-大气辐射效应》详细论述了大气中子诱发单粒子效应对元器件、设备、系统的影响和应对策略,并且大气中子单粒子效应也纳入了DO...
在地面交通领域,ISO26262将α粒子和大气中子诱发集成电路软错误作为系统安全的重要基础数据来源。汽车电子认证标准AEC-Q100将集成电路(具有大于1MB SRAM或DRAM)在α粒子和大气中子下的软错误率作为单独认证项目。 问题3 软错误率实验如何实现的,需要具备哪些条件? 软错误率实验目前主要采用加速实验辐射方式完成对集成电路...
根据AEC-Q100及IEC61508两套标准的描述，以130纳米工艺1Mbit RAM芯片为例，大气中子单粒子效应导致的软错误概率超过1000FIT（FIT，定义是在10^9h（小时）内，出现一次故障即为1FIT。因此，如果某个器件失效率为100FIT，则平均预期可安全工作10^7小时）。这个数据看起来貌似很大，但对于安全等级要求严格的器件（应用...
软错误率实验目前主要采用加速实验辐射方式完成对集成电路地面单粒子软错误的实验。 加速实验即采用单位时间内粒子放射量(通量)高于真实情况数倍的放射源,对待测器件进行辐照实验,得到累积软错误数据后,再通过与实际情况比例系数反推至真实情况下的软错误率。
软错误是指由辐射对硅集成电路(Si ICs)的影响导致的设备的暂时性故障。软错误会影响设备的性能和可靠性,尤其是在空间、防御、医疗和电力系统等高辐射环境中。随着电子设备的不断微型化和高密度化,软错误的发生概率也随之增加,因为现在低能量的α粒子也能翻转一个存储器位或改变逻辑电路的时序。其中,一种主要的α...
这种处理方法通常包括两个步骤:一是使用高纯度的原材料,二是使用真空或惰性气体环境进行熔炼和提纯。这样可以有效地降低锡膏中的α粒子活度,达到 0.01 α/(cm2 "h)以下。低α活性铅焊料的优点是可以保持铅焊料的优良性能,如低熔点、低氧化性、低蠕变性、低金属间化合物形成率等,同时也可以减少软错误的发生。
六、芯片软错误应对策略 尽管芯片软错误在一定程度上难以完全避免，但这并不意味着芯片无法在众多应用场景中得到有效利用。对于商业级器件和普通工业级器件而言，即使发生软错误，通常可通过简单的重启或复位操作予以消除，且此类故障对人身财产造成的损害风险较低，可接受一定程度的软错误率。然而，对于涉及人民群众生命...
这种处理方法通常包括两个步骤:一是使用高纯度的原材料,二是使用真空或惰性气体环境进行熔炼和提纯。这样可以有效地降低锡膏中的α粒子活度,达到 0.01 α/(cm2 "h)以下。低α活性铅焊料的优点是可以保持铅焊料的优良性能,如低熔点、低氧化性、低蠕变性、低金属间化合物形成率等,同时也可以减少软错误的发生。