迁移率的提取方法:根据线性区源漏电流的表达式,取VDS为较小的值,如0.1V时,做ID-(VGS-Vth)的曲线,求该曲线的斜率,即可求出迁移率μn的值。 线性区公式 二、特性曲线各区详解 NMOS管转移特性曲线 截止区:图中绿色虚线框选区域为MOS管工作截止区,此时MOS管未开启,负压Vgs越大,漏电流越大。这并不是常规理解...