一种具有双凹陷缓冲层的4H-SiC金属半导体场效应晶体管,专利号:ZL201510001340.0,授权日期:2018.01.12 [9]贾护军,罗烨辉,马培苗,杨志辉,一种具有部分下沉沟道的4H-SiC金属半导体场效应晶体管的制备方法,专利号:ZL201510532352.6,授权日期:2018.01.12 三、出版教材: 贾护军,《固体物理基础教程》,西安电子科技大学出版...
贾护军 西安电子科技大学, 副教授 / 科研之友号:12846215 科研之友人员唯一编号 1 项目 74 成果 812 阅读 95 下载 130 被引 8 H-指数 主页 成果
贾护军 副教授硕导或博导博士学科:硕士学科: 工作单位:微电子学院 联系方式 通信地址:电子邮箱:hjjia@mail.xidian.edu.cn办公电话:88201604办公地点: 个人简介 1972年出生于陕西省兴平市,1995年7月本科毕业于西安电子科技大学半导体物理与器件专业,毕业后留校微电子研究所工作,2002年6月获材料物理与化学专业硕士学位,...
出版社: 西安电子科技大学出版社 ISBN:9787560660103 版次:2 商品编码:13963207 品牌:西安电子科技大学出版社 包装:平装 开本:16开 出版时间:2023-08-01 用纸:胶版纸 商品介绍加载中... 下载客户端,开始阅读之旅 售后保障 正品行货 京东商城向您保证所售商品均为正品行货,京东自营商品开具机打发票或电子发票...
介绍了在Si衬底上外延生长3C-SiC薄膜和用它制作的SiC高温压力传感器,并对研制结果进行了分析。简单介绍了其它几种SiC压力传感器的特点、结构和制作方法。 著录项 西安电子科技大学 微电子研究所,; 西安电子科技大学 微电子研究所,; 西安电子科技大学 微电子研究所,;...
一种具有双凹陷缓冲层的4H-SiC金属半导体场效应晶体管,专利号:ZL201510001340.0,授权日期:2018.01.12 [9]贾护军,罗烨辉,马培苗,杨志辉,一种具有部分下沉沟道的4H-SiC金属半导体场效应晶体管的制备方法,专利号:ZL201510532352.6,授权日期:2018.01.12 三、出版教材: 贾护军,《固体物理基础教程》,西安电子科技大学出版...
贾护军，1972年出生于陕西省兴平市，获省部级以上科技进步奖4项，国家发明专利1项，发表论文20余篇，其中三大索引收录18篇次。1972年出生于陕西省兴平市，1995年7月本科毕业于西安电子科技大学半导体物理与器件专业，毕业后留校微电子研究所工作，2002年6月获材料物理与化学专业硕士学位，2004年9月开始攻读微电子学与...